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龙图腾网获悉上海帝迪集成电路设计有限公司申请的专利一种无基准的过/欠压保护检测装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119780513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411864994.1，技术领域涉及：G01R19/165；该发明授权一种无基准的过/欠压保护检测装置及方法是由唐涛;卫宝跃;管锐;靳瑞英设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无基准的过/欠压保护检测装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无基准的过欠压保护检测装置及方法，包括：电源电压检测网络、单输入触发电路、反馈电路和缓冲器；电源电压检测网络用于检测芯片电源电压的实时信息，并将检测电压传递给单输入触发电路；单输入触发电路根据检测电压进行芯片电源电压的过压或欠压判断，产生翻转电压；反馈电路根据来自单输入触发电路的翻转电压反馈调整电源电压检测网络的输出系数，实现芯片电源电压的过压或欠压保护；缓存器用于提升过压或欠压保护的电源电压的驱动能力。本发明使用单输入触发电路进行芯片的电源电压检测，能够更好地保护芯片工作。

本发明授权一种无基准的过/欠压保护检测装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种无基准的过欠压保护检测装置，其特征在于，包括：电源电压检测网络101、单输入触发电路201、反馈电路301和缓冲器401； 所述电源电压检测网络101用于检测芯片电源电压的实时信息，并将检测电压传递给单输入触发电路201； 所述电源电压检测网络101包括：第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，所述第一电阻R1的一端与芯片的电源电压VDD连接，所述第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的一端共同作为电源电压检测网络101的输出端，与单输入触发电路201的输入端连接，所述第二电阻R2的另一端分别与反馈电路301的输出端、第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端接地； 所述单输入触发电路201根据检测电压进行芯片电源电压的过压或欠压判断，产生翻转电压； 所述单输入触发电路201包括：第一双极型晶体管Q1、第二双极型晶体管Q2、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第四电阻R4、第五电阻R5和电流比较器，所述第一双极型晶体管Q1的基极、第二双极型晶体管Q2的基极共同作为单输入触发电路201的输入端；所述第一双极型晶体管Q1的发射极分别与第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端连接，所述第二双极型晶体管Q2的发射极与第四电阻R4的另一端连接，所述第五电阻R5的另一端接地；所述第一双极型晶体管Q1的集电极、第一PMOS管PM1的漏极、第一PMOS管PM1的栅极共同接入电流比较器的第一输入端；所述第二双极型晶体管Q2的集电极、第二PMOS管PM2的漏极、第二PMOS管PM2的栅极共同接入电流比较器的第二输入端；所述第一PMOS管PM1的源极、第二PMOS管PM2的源极均与芯片的电源电压VDD连接；所述电流比较器的输出端与反馈电路301的输入端连接； 所述反馈电路301根据来自单输入触发电路201的翻转电压反馈调整电源电压检测网络101的输出系数，实现芯片电源电压的过压或欠压保护； 所述缓冲器401用于提升过压或欠压保护的电源电压的驱动能力； 第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3的阻值满足： 其中，表示电源电压上升过程的翻转点电压，表示第一双极型晶体管Q1的基极-发射极电压的差，表示第二双极型晶体管Q2与第一双极型晶体管Q1的个数比，表示温度的电压当量，表示第四电阻R4的阻值，表示第五电阻R5的阻值，表示电源电压下降过程的翻转点电压。

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