武汉高德智感科技有限公司;华中科技大学黄晟获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉高德智感科技有限公司;华中科技大学申请的专利一种光学元件、红外光学系统及红外摄像模组获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119781093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510076140.5,技术领域涉及:G02B1/00;该发明授权一种光学元件、红外光学系统及红外摄像模组是由黄晟;王鹏;叶龙;易飞;陈岩设计研发完成,并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光学元件、红外光学系统及红外摄像模组在说明书摘要公布了:本发明公开了一种光学元件、红外光学系统及红外摄像模组,该光学元件包括基底,所述基底的一面具有凸面,所述基底的另一面具有亚波长结构超构表面。基底材质为单晶硅,基底一面的凸面采用光刻刻蚀半导体工艺制备而成,基底另一面的亚波长结构超构表面采用光刻刻蚀的半导体工艺制备而成。本发明采用了一面球面与一面超构表面构成一个独立的光学元件,这种结构方式可以结合两种面型的优势高效的利用光学元件,实现光线聚焦和像差控制,提高成像质量,降低了成本,减轻了系统重量,缩小了系统体积。
本发明授权一种光学元件、红外光学系统及红外摄像模组在权利要求书中公布了:1.一种红外光学系统,其特征在于:包括沿光轴传播方向依次设置的第一光学元件和第二光学元件,第一光学元件的物侧面具有凸面,第一光学元件的像侧面具有亚波长结构超构表面,第二光学元件的物侧面具有亚波长结构超构表面,第二光学元件的像侧面具有凸面; 所述第一光学元件的凸面有效口径为D2,所述第二光学元件的凸面有效口径为D3; 所述第一光学元件的物侧面的矢高为Sag1,所述第二光学元件的像侧面的矢高为Sag2; 27.36≤D2|Sag1|≤54.55,15.16≤D3|Sag2|≤18.63。
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