北京航空航天大学张岩获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种基于玻璃基板及液晶材料的高密度双极化边射天线单元获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119786967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411982082.4,技术领域涉及:H01Q1/52;该发明授权一种基于玻璃基板及液晶材料的高密度双极化边射天线单元是由张岩;万珺知;魏嘉设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于玻璃基板及液晶材料的高密度双极化边射天线单元在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于玻璃基板及液晶材料的宽带双极化边射天线单元,包括多层介质基板,第一介质基板的下表面设置金属地板以及馈电端口,所述馈电端口包括四个;在所述第一介质基板和第二介质基板之间设有第一玻璃层;在所述第二介质基板和第三介质基板之间设有第二玻璃层;沿第一介质基板的两条对角线打孔,将实心的第三金属柱贯穿在各孔内;沿第一介质基板、第一玻璃层、第二介质基板的四周及中心打过孔,将若干个第一金属柱均匀分布在所述四周的过孔内,将四个第二金属柱作为馈电探针均匀分布在所述中心的过孔内;所述四个第二金属柱将所述四个馈电端口和第二玻璃层下表面的辐射贴片连通。本发明有效提高了天线辐射增益及带宽。
本发明授权一种基于玻璃基板及液晶材料的高密度双极化边射天线单元在权利要求书中公布了:1.一种基于玻璃基板及液晶材料的高密度双极化边射天线单元,其特征在于,包括多层介质基板,分别为由下至上依次层叠的第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板;其中: 第一介质基板的下表面设置金属地板以及馈电端口,所述馈电端口包括四个,且所述四个馈电端口结构相同,其中,第一端口和第三端口均匀分布于第一介质基板的纵向对称轴上,第二端口和第四端口均匀分布于第一介质基板的横向对称轴上,水平极化状态下激励第一端口、第三端口,并且相位差180°;垂直极化状态下激励第二端口、第四端口,并且相位差180°; 在所述第一介质基板和第二介质基板之间设有第一玻璃层; 在所述第二介质基板和第三介质基板之间设有第二玻璃层; 沿第一介质基板的两条对角线打孔,将实心的第三金属柱贯穿在各孔内; 沿第一介质基板、第一玻璃层、第二介质基板的四周及中心打过孔,将若干个第一金属柱均匀分布在所述四周的过孔内,将四个第二金属柱作为馈电探针均匀分布在所述中心的过孔内; 所述第二玻璃层的上表面和下表面分别设置辐射贴片,所述四个第二金属柱将所述四个馈电端口和第二玻璃层下表面的辐射贴片连通; 其中,所述第二介质基板为液晶材料,所述第一介质基板的上表面还包括金属缝隙,所述金属缝隙为花朵形,其凸出的四个花瓣与所述四个馈电端口重合,所述馈电端口的半径大于花瓣的半径。
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