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龙图腾网获悉广西大学申请的专利基于透射洛伦兹电子显微镜的磁畴壁宽度的测量技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119803309B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510044573.2，技术领域涉及：G01B11/02；该发明授权基于透射洛伦兹电子显微镜的磁畴壁宽度的测量技术是由李子安;梁彬业;王怡哲;苏佳琪;刘玉莹设计研发完成，并于2025-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于透射洛伦兹电子显微镜的磁畴壁宽度的测量技术在说明书摘要公布了：本发明公开了基于透射洛伦兹电子显微镜的磁畴壁宽度的测量技术，包括以下步骤：1在透射电子显微镜中观察试样，获取磁畴壁对应的一系列离焦图；2更换试样为标样，获取系列离焦图，计算当前洛伦兹成像模式下不同离焦量对应放大倍数的校正系数；3选取一系列离焦图中垂直于磁畴壁的部分区域，对该区域的强度分布进行高斯函数线性拟合并校正得到磁畴壁的横向宽度，再根据磁畴壁的横向宽度和离焦量的关系进行线性拟合，外推得到磁畴壁的本征宽度；4根据磁畴壁的本征宽度，构建磁畴壁的磁化分布，模拟系列磁畴壁的菲涅尔离焦图，计算磁畴壁宽度与离焦量的对应关系，外推得到模拟磁畴壁正焦条件下的宽度。利用本发明的方法，可以实现磁性材料磁畴壁宽度的定量测量。

本发明授权基于透射洛伦兹电子显微镜的磁畴壁宽度的测量技术在权利要求书中公布了：1.基于透射洛伦兹电子显微镜的磁畴壁宽度的测量方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在透射洛伦兹电子显微镜中观察试样，改变洛伦兹模式下的离焦量，获取磁畴壁对应的一系列离焦图； 2更换试样为标样，获取系列离焦图，计算当前洛伦兹成像模式下不同离焦量对应放大倍数的校正系数；计算校正系数的方法如下： 1将试样更换为周期栅格Au颗粒标样，改变和步骤1相同的离焦量，采集记录一系列离焦图； 2分别测量栅格正焦和离焦后栅格的宽度L和LD，栅格宽度的变化量δ＝LD-L，计算校正系数αi＝1+δL； 3选取一系列离焦图中垂直于磁畴壁的部分区域，对该部分区域的强度分布进行高斯函数线性拟合并校正得到磁畴壁的横向宽度，再根据磁畴壁的横向宽度和离焦量的关系进行线性拟合，外推得到磁畴壁的本征宽度；获取磁畴壁的本征宽度的方法如下： 1通过计算机程序绘制选取的部分区域的强度分布曲线，利用高斯函数对强度分布曲线进行线性拟合，并计算曲线的半高宽值WH； 2拟合出系列离焦图的强度分布曲线的半高宽值WH，并利用步骤2中的不同离焦量对应的校正系数αi，校正磁畴壁实际的横向宽度Wi＝WHαi； 3取系列离焦图的离焦量作为横坐标，校正后的磁畴壁横向宽度Wi作为纵坐标，绘图； 4对所述图进行线性拟合，得到拟合曲线与纵轴的交点对应的数值，该数值为磁畴壁的本征宽度； 4根据磁畴壁的本征宽度，构建磁畴壁的磁化分布，模拟系列磁畴壁的菲涅尔离焦图，计算磁畴壁宽度与离焦量的对应关系，外推得到模拟磁畴壁正焦条件下的宽度；获取模拟磁畴壁正焦条件下的宽度的方法如下： 1根据步骤1记录的磁畴结构以及步骤3测量的磁畴壁本征宽度，构建磁畴壁的磁化分布； 2利用计算机程序，计算磁畴壁区域的磁相位分布，模拟系列磁畴壁的菲涅尔离焦图像； 3采用步骤3提及的方法，测量系列磁畴壁的横向宽度，计算磁畴壁宽度与离焦量的对应关系，外推得到模拟磁畴壁正焦条件下的宽度。

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