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龙图腾网获悉广州光电存算芯片融合创新中心申请的专利一种C波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411939262.4，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种C波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法是由张仙;王瑞军;王冰;余思远设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种C波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种C波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法，属于光学器件技术领域。本发明通过硅基光子波导层与第一波导层和第二波导层分别垂直倏逝波耦合，形成SiInP模斑转换器且保持模式匹配，硅基光子波导层通过SiInP模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式与InP波导层光学互连，从而实现光产生、探测、放大等功能；本发明将所述InP波导层设计成两层波导级联的结构，这种结构能更有效地提高耦合效率，减少端面寄生反射。

本发明授权一种C波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种C波段硅基异质集成的光发射器件，其特征在于，包括硅基光子波导层、InP波导层、铌酸锂波导层和第一绝缘层，所述第一绝缘层包裹于硅基光子波导层的侧表面和上表面，所述InP波导层和铌酸锂波导层设置于所述第一绝缘层上，所述InP波导层包括从下至上依次设置第一波导层和第二波导层，所述硅基光子波导层与所述第一波导层以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，所述硅基光子波导层与所述第二波导层以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，所述硅基光子波导层与所述铌酸锂波导层以垂直倏逝波耦合的方式光学互连； 所述第一波导层包括第一直波导和设置于所述第一直波导两侧的第一锥形波导；所述第二波导层包括第二直波导和设置于第二直波导两侧的第二锥形波导； 所述铌酸锂波导层设置有铌酸锂直波导及两个铌酸锂锥形波导，两个铌酸锂锥形波导分别设置于所述铌酸锂直波导的两侧； 所述硅基光子波导层包括四个依次设置的硅基锥形波导，每个硅基锥形波导的尾端连接有硅基直波导，其中，前两个硅基锥形波导均与第一直波导和第二直波导在光信号传输方向上重叠，前两个硅基锥形波导连接的硅基直波导分别与第一锥形波导和第二锥形波导在光信号传输方向上重叠；后两个硅基锥形波导与两个铌酸锂锥形波导在光信号传输方向上一一对应重叠。

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