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龙图腾网获悉广州光电存算芯片融合创新中心申请的专利一种O波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411939264.3，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种O波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法是由张仙;王瑞军;王冰;余思远设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种O波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种O波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法，属于光学器件技术领域。本发明通过晶圆键合的方式在硅基光子平台上集成InP及铌酸锂材料，有源、无源器件对准是通过光刻过程实现的，无需考虑对准的问题，且可以通过晶圆键合方式进行大批量的生产，可以降低单个器件的成本，还具有高集成度、节约成本、利于量产化的优势；本发明通过BCB聚合物辅助键合技术或低温直接键合技术可以克服硅基光子平台的硅与InP及铌酸锂材料存在晶格失配、热膨胀系数失配的缺陷，从而实现不同功能材料在硅基光子平台的集成；本发明通过设计相应的模斑转换器结构来实现不同材料波导之间的模式匹配。

本发明授权一种O波段硅基异质集成的光发射器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种O波段硅基异质集成的光发射器件，其特征在于，包括硅基光子波导层、InP波导层、铌酸锂波导层和第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述硅基光子波导层的上表面，所述InP波导层和铌酸锂波导层设置于所述第一绝缘层的上表面，所述硅基光子波导层与所述InP波导层以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，所述硅基光子波导层与所述铌酸锂波导层以垂直倏逝波耦合的方式光学互连； 所述硅基光子波导层上设置有硅基直波导，所述InP波导层设置有InP直波导和两个InP锥形波导，两个InP锥形波导分别设置于所述直波导的两侧，所述硅基直波导分别与InP直波导和两个InP锥形波导在光信号传输方向上重叠； 所述硅基直波导的宽度为500~5000nm；所述InP直波导的宽度为2000~7000nm；所述InP锥形波导的宽度从其尖端至其尾端呈线性递增，所述InP锥形波导的尾端与所述InP直波导相接，所述InP锥形波导的尾端宽度与所述InP直波导的宽度相等，所述InP锥形波导的尖端宽度为100~500nm。

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