中国科学院微电子研究所汪洋获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利用于实现22.5°、45°和67.5°移相的多相位集成移相单元及移相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119813702B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311314774.7，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权用于实现22.5°、45°和67.5°移相的多相位集成移相单元及移相器是由汪洋;罗卫军;董青杨;吴秀皓;薄纯月;李晨浩设计研发完成，并于2023-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于实现22.5°、45°和67.5°移相的多相位集成移相单元及移相器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于实现22.5°、45°和67.5°移相的多相位集成移相单元及移相器，属于射频集成电路技术领域，解决了现有技术中实现22.5°、45°和67.5°移相的移相单元占用体积大的问题。所述多相位集成移相单元包括相互并联的高通电路、第一低通电路和第二低通电路；所述第一低通电路和所述第二低通电路的通断状态相反；通过控制所述高通电路、所述第一低通电路和所述第二低通电路的通断状态使得所述多相位集成移相单元实现下述四种相移态：参考相移态、22.5°相移态、45°相移态和67.5°相移态。实现了22.5°、45°和67.5°移相的移相单元占用体积小，节省成本。
本发明授权用于实现22.5°、45°和67.5°移相的多相位集成移相单元及移相器在权利要求书中公布了：1.一种用于实现22.5°、45°和67.5°移相的多相位集成移相单元，其特征在于，所述多相位集成移相单元包括相互并联的高通电路、第一低通电路和第二低通电路； 所述第一低通电路和所述第二低通电路的通断状态相反；通过控制所述高通电路、所述第一低通电路和所述第二低通电路的通断状态使得所述多相位集成移相单元实现下述四种相移态： 当只有所述第一低通电路在导通状态时，形成所述多相位集成移相单元的参考相移态； 当只有所述第二低通电路在导通状态时，形成所述多相位集成移相单元的22.5°相移态； 当只有所述高通电路和所述第一低通电路在导通状态时，形成所述多相位集成移相单元的45°相移态； 当只有所述高通电路和所述第二低通电路在导通状态时，形成所述多相位集成移相单元的67.5°相移态。
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