南京航空航天大学万鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种非可见光式紫外红外双极性探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411803339.5，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权一种非可见光式紫外红外双极性探测器及制备方法是由万鹏;张发政;孙礼祥;陈家栋;姜明明;阚彩侠设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非可见光式紫外红外双极性探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种非可见光式紫外红外双极性探测器及制备方法。探测器包括：GaN外延片、ZnO:Ga微米线、GaAs外延片、TiAu电极、PDMS绝缘层。通过化学气相沉积的方法生长出高结晶质量的ZnO:Ga微米线，将ZnO:Ga微米线转移至镀有TiAu电极的GaAs外延片。在ZnO:Ga微米线两侧贴有PDMS薄膜，并在微米带ZnO:Ga微米线顶端覆盖有镀有TiAu电极的双抛GaN外延片。双抛GaN外延片作为探测偏振光的窗口，实现基于GaNZnO:GaGaAs异质结的非可见光式双极性探测器。在零偏压条件下，当器件被紫外光照射时，所产生的电流为正；当器件被红外光照射时，所产生的电流为负；当器件被可见光照射时，几乎不产生任何电流。该发明通过合理的材料和结构设计，为实现稳定的非可见光式紫外红外双极性探测器提供可行的方案。
本发明授权一种非可见光式紫外红外双极性探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非可见光式紫外红外双极性探测器，其特征在于，包括GaN外延片、ZnO:Ga微米线、GaAs衬底、PDMS薄膜、TiAu金属电极；TiAu金属电极蒸镀于GaN外延片和GaAs衬底上；ZnO:Ga微米线水平放置于GaAs衬底上；PDMS绝缘层贴于ZnO:Ga微米线两侧；GaN外延片覆盖于ZnO:Ga微米线顶部；GaN外延片为双抛型，p型掺杂；GaAs衬底为p型掺杂。
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