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龙图腾网获悉北京爱博精电科技有限公司申请的专利一种罗氏线圈及电能计量设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119827834B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510029215.4，技术领域涉及：G01R22/10；该发明授权一种罗氏线圈及电能计量设备是由刘旭;张燕京设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种罗氏线圈及电能计量设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种罗氏线圈及电能计量设备，涉及电力测量技术领域，其中，该罗氏线圈包括：环形线圈，信号耦合电路及MCU电路，其中，环形线圈用于对待测电网导线的电流进行感应，得到交流测量信号；环形线圈通过信号耦合电路将交流测量信号传输给外部测量装置；MCU电路用于存储环形线圈的精度误差信息，MCU电路还用于将精度误差信息传输给外部测量装置，以便于外部测量装置基于交流测量信号和精度误差信息对待测电网导线的电流进行测量；其中，环形线圈、信号耦合电路与MCU电路为一体化设计。实施本申请提供的技术方案，达到了提高测量的准确性的效果。

本发明授权一种罗氏线圈及电能计量设备在权利要求书中公布了：1.一种罗氏线圈，其特征在于，包括：环形线圈，信号耦合电路及MCU电路，其中， 所述环形线圈用于对待测电网导线的电流进行感应，得到交流测量信号； 所述环形线圈通过所述信号耦合电路将所述交流测量信号传输给外部测量装置； 所述MCU电路用于存储所述环形线圈的精度误差信息，所述MCU电路还用于将所述精度误差信息传输给所述外部测量装置，以便于所述外部测量装置基于所述交流测量信号和所述精度误差信息对所述待测电网导线的电流进行测量； 其中，所述环形线圈、所述信号耦合电路与所述MCU电路为一体化设计； 所述MCU电路包括能量储存单元和MCU芯片，其中，所述能量储存单元的输入端与所述罗氏线圈的第一外接端口、所述罗氏线圈的第二外接端口电连接，所述能量储存单元的输出端与所述MCU芯片的电源电连接，所述MCU芯片的输出端与所述罗氏线圈的第一外接端口电连接，所述MCU芯片通过所述罗氏线圈的第一外接端口向所述外部测量装置传输所述精度误差信息，所述外部测量装置通过所述罗氏线圈的第一外接端口和所述罗氏线圈的第二外接端口与所述罗氏线圈电连接；其中，当所述外部测量装置接收到目标指令的情况下，所述外部测量装置通过第一GPIO端口向所述罗氏线圈的第一外接端口提供第一电平信号和通过第二GPIO端口向所述罗氏线圈的第二外接端口提供第二电平信号，所述能量储存单元将所述外部测量装置提供的电平信号转换为能量进行存储并给所述MCU芯片供电，使得所述MCU芯片将所述精度误差信息传输给所述外部测量装置，所述目标指令用于指示从所述罗氏线圈中获取所述精度误差信息； 所述信号耦合电路包括滤波单元、开关单元，其中，所述滤波单元用于对所述交流测量信号进行滤波处理，所述开关单元用于将经过滤波处理后的所述交流测量信号传输给所述外部测量装置；所述滤波单元包括第一电阻和第一电容，所述开关单元包括第一MOS管，其中，所述第一电阻连接在所述环形线圈的第一端与所述第一MOS管的漏极之间，所述第一电容与所述第一电阻并联连接；所述第一MOS管的源极与所述罗氏线圈的第一外接端口电连接，所述第一MOS管的栅极与接地端电连接，其中，所述第一MOS管为耗尽型MOS管； 其中，所述第一MOS管在所述能量储存单元未得电时处于导通状态以将所述交流测量信号传输给所述外部测量装置，所述第一MOS管在所述能量储存单元得电时处于关断状态以隔离所述交流测量信号； 其中，所述信号耦合电路连接于所述环形线圈的第一端与所述罗氏线圈的第一外接端口之间，所述环形线圈的第二端与所述罗氏线圈的第二外接端口电连接，其中，所述罗氏线圈的第一外接端口、所述罗氏线圈的第二外接端口与所述外部测量装置电连接，以将所述交流测量信号传输给所述外部测量装置；当所述外部测量装置从所述MCU电路读取所述精度误差信息时，所述外部测量装置通过所述罗氏线圈的第一外接端口和所述罗氏线圈的第二外接端口向所述MCU电路供电； 当所述外部测量装置通过所述罗氏线圈的第一外接端口、所述罗氏线圈的第二外接端口向所述MCU芯片供电时，所述信号耦合电路关断；所述MCU芯片用于通过所述MCU芯片的输出端判断所述罗氏线圈的第一外接端口和所述罗氏线圈的第二外接端口的正负极性，并在判断出所述所述罗氏线圈的第一外接端口为正、所述罗氏线圈的第二外接端口为负的情况下，通过所述MCU芯片的输出端向所述外部测量装置发送所述精度误差信息；以及在判断出所述所述罗氏线圈的第一外接端口为负、所述罗氏线圈的第二外接端口为正的情况下，所述MCU芯片拒绝向所述外部测量装置发送所述精度误差信息。

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