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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种光电温时耦合的相变存储器件编程装置与方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119832960B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411271061.1，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种光电温时耦合的相变存储器件编程装置与方法是由张伟;王晓哲;周文;王疆靖设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电温时耦合的相变存储器件编程装置与方法在说明书摘要公布了：一种光电温时耦合的相变存储器件编程装置与方法，包括泵浦激光系统、电学测试系统、冷热温控系统以及控制监测软件；所述泵浦激光系统、电学测试系统、冷热温控系统以及控制监测软件协同运行，在控制监测软件的统一协调下，泵浦激光系统将发射出指定参数的激光脉冲，与位移平台协同，在指定激光照射区域与路径下实现逐步结晶化或非晶化切换，冷热温控系统在一定升温速率下达到指定环境温度，电学测试系统实时记录相变存储器件在指定测试时长下的电学响应，实现相变存储器件在特定环境下的“光控电测”编程操作。本发明通过光控电测的方式实现了SET与RESET逐步切换过程中晶体与非晶体积比例的定量控制，获得了切换电阻值的线性连续与对称变化。

本发明授权一种光电温时耦合的相变存储器件编程装置与方法在权利要求书中公布了：1.一种光电温时耦合的相变存储器件编程装置，其特征在于，包括泵浦激光系统、电学测试系统、冷热温控系统以及控制监测软件； 所述泵浦激光系统、电学测试系统、冷热温控系统以及控制监测软件协同运行，在控制监测软件的统一协调下，泵浦激光系统发射指定参数的激光脉冲，与位移平台协同，指定激光照射区域与路径下实现相变存储材料的逐步结晶化切换或实现逐步非晶化切换； 器件为RESET态时，此时使用器件中的相变存储薄膜为非晶相，使用指定参数的激光脉冲照射薄膜的指定区域使其发生逐步结晶化，即为SET逐步切换；器件为SET态时，此时使用器件中的相变存储薄膜为晶体相，使用指定参数的激光脉冲照射薄膜的指定区域使其发生逐步非晶化，即为RESET逐步切换；上述两种操作可随时相互变换； 与此同时冷热温控系统在一定升温速率下达到指定环境温度，并进行一定时长的保温，电学测试系统实时记录相变存储器件在指定测试时长下的电学响应，从而实现相变存储器件在特定环境下的“光控电测”编程操作； 所述泵浦激光系统用于调控激光脉冲的束斑尺寸、功率、脉宽参数，以及为相变区域提供光源并实时获取微观图像； 所述电学测试系统用于实时监测相变存储器件15的电学信号响应； 所述冷热温控系统用于精准控制测试期间的环境温度以及温度变化与保温时间参数； 所述控制监测软件用于集成整个编程装置中所有可编辑的控制参数，包括激光脉冲参数、电学测试参数、位移平台参数与温度控制参数； 所述控制监测软件包括激光器控制模块、信号发生器控制模块、位移平台控制模块、温控探针台控制模块、电学性能监测模块、相机监测模块； 其中，激光器控制模块实现激光的开关及功率大小控制；信号发生器控制模块设置信号发生器1发出脉冲，并进行波形、脉宽、幅值的参数设置，位移平台控制模块用于调节相变存储器件15与激光的相对位置，从而控制激光的照射路径与区域，照射路径根据实际测试需要编程为垂直于电极方向或平行于电极方向或任意路径，照射区域通过改变位移步长实现逐点切换或跳跃式切换的方式，将非晶区域逐步结晶化或将晶体区域逐步非晶化，定量改变相变存储器件15内部有效相变区域的晶体与非晶体积比例，最终实现相变材料定量体积与特定区域的精确编程，XYZ轴位移平台18、XY轴位移平台19在X、Y、Z轴方向进行高精度位移，可实现设定距离的单步位移和设定速度的连续位移；温控探针台控制模块用于调控温度控制器21的设定温度、变温速度参数；电学性能监测模块用于监测记录器件单元在SETRESET逐步切换过程中电阻值连续增大或减小的线性变化以及先增大后减小或先减小后增大的对称变化等电学响应，并可实时调控测试时间的参量，包括但不局限于电阻-温度曲线R-T曲线、电阻-时间曲线R-t曲线、伏安特性曲线I-V曲线、电压-电流曲线V-I曲线，相机监测模块实时监测记录器件单元的显微图像。

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