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龙图腾网获悉广州志橙半导体有限公司申请的专利半导体器件生产用复合基底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833393B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510182027.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体器件生产用复合基底的制备方法是由杨伟锋;靳彩霞;朱佰喜;黄宇鹏;秦志波设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件生产用复合基底的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种半导体器件生产用复合基底的制备方法，步骤包括：将原料碳放置进氢气氛围的反应室，将反应室抽至真空，升温至1000~1500℃，例如可以是1000℃、1200℃、1500℃，保温1~3h，冷却清洁后得到碳基底；对钽源、钽的氟化物以及助熔剂进行研磨混合，得到涂层粉体；将涂层粉体转移至带有脉冲电场的反应室中，进行脉冲电场辅助气相沉积，冷却后得到晶向定向排布的碳化钽预涂层材料；将碳化钽预涂层材料转至高温烧结炉中，在惰性气氛中保持1800~2400℃加热，持续0.5~6h，得到复合基底，所述复合基底为半导体器件生产用。通过晶向的定向排布，碳化钽涂层实现了更高的导电性和导热性。

本发明授权半导体器件生产用复合基底的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件生产用复合基底的制备方法，其特征在于，步骤包括： S1、将原料碳放置进氢气氛围的反应室，将反应室抽至真空，升温至1000~1500℃，保温1~3h，冷却清洁后得到碳基底； S2、对钽源、钽的氟化物以及助熔剂进行研磨混合，得到涂层粉体； S3、将所述涂层粉体转移至带有脉冲电场的反应室中，进行脉冲电场辅助气相沉积，冷却后得到晶向定向排布的碳化钽预涂层材料； 所述步骤S3包括： S3.1、将所述涂层粉体转移至带有脉冲电场的反应室中且所述碳基底放置于所述涂层粉体的界面之上； S3.2、在反应室中通入惰性气氛并施加脉冲电场，进行第一次沉积，得到初步沉积基底，其中，所述第一次沉积的沉积温度为； S3.3、在反应室中通入氢气气氛并调节脉冲电场，对所述初步沉积基底进行第一次退火处理，得到初步涂层基底，其中，所述第一次退火温度为； S3.4、对所述初步涂层基底进行第n次沉积和第n次退火，得到碳化钽预涂层材料，其中，所述第n次沉积温度为，所述第n次退火温度为； S4、将所述碳化钽预涂层材料转至高温烧结炉中，在惰性气氛中保持1800~2400℃加热，持续0.5~6h，得到复合基底，所述复合基底为半导体器件生产用。

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