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龙图腾网获悉北京芯力技术创新中心有限公司申请的专利芯粒封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833410B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411798401.6，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权芯粒封装结构的制备方法是由刘括;王阳设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯粒封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯粒封装结构的制备方法，适用于半导体技术领域，上述制备方法包括，提供多个晶圆，晶圆包括多个芯粒，将多个晶圆键合，形成堆叠晶圆，对堆叠晶圆进行切割，得到多个堆叠芯粒，堆叠芯粒包括堆叠设置的多个芯粒，每个芯粒为不同晶圆中的芯粒，堆叠芯粒的多个芯粒中包括至少一个不良芯粒，对多个堆叠芯粒分别进行切割，以将每个堆叠芯粒中的不良芯粒分离出来。本申请的技术方案旨在提高合格芯粒的利用率。

本发明授权芯粒封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯粒封装结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供多个晶圆，所述晶圆包括多个芯粒； 将所述多个晶圆键合，形成堆叠晶圆； 对所述堆叠晶圆进行切割，得到多个堆叠芯粒；所述堆叠芯粒包括堆叠设置的多个芯粒，每个芯粒为不同晶圆中的芯粒，所述堆叠芯粒的多个芯粒中包括至少一个不良芯粒； 对所述多个堆叠芯粒分别进行切割，以将每个堆叠芯粒中的不良芯粒分离出来； 其中，所述多个堆叠芯粒包括第一堆叠芯粒和第二堆叠芯粒，所述第一堆叠芯粒包括第一不良芯粒，所述第二堆叠芯粒包括第二不良芯粒，所述第一不良芯粒和所述第二不良芯粒为同一晶圆中的芯粒； 对所述第一堆叠芯粒进行切割，以将所述第一不良芯粒分离出来，并得到至少一个第一芯粒结构，所述第一芯粒结构包括靠近所述第一不良芯粒的第一表面，以及远离所述第一不良芯粒的第二表面； 对所述第二堆叠芯粒进行切割，以将所述第二不良芯粒分离出来，并得到至少一个第二芯粒结构，所述第二芯粒结构包括靠近所述第二不良芯粒的第三表面，以及远离所述第二不良芯粒的第四表面；所述第一芯粒结构和所述第二芯粒结构中的芯粒的数量相等且一一对应，相对应的芯粒为同一晶圆中的芯粒； 将所述第一芯粒结构与所述第二芯粒结构键合，所述第一芯粒结构和所述第二芯粒结构均包括至少一个存储芯粒。

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