杭州深谙微电子科技有限公司卫梦昭获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州深谙微电子科技有限公司申请的专利多级曲率补偿的带隙基准电压电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119847279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411884033.7，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权多级曲率补偿的带隙基准电压电路及芯片是由卫梦昭;孙恬静设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本多级曲率补偿的带隙基准电压电路及芯片在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供一种多级曲率补偿的带隙基准电压电路，包括：一阶温度补偿电路和高阶曲率补偿电路，其中，一阶温度补偿电路与高阶曲率补偿电路分离解耦，高阶曲率补偿电路由多个VBE非线性补偿电路级联组成，一阶温度补偿电路被配置为：对VBE与温度变化产生的线性关系进行补偿，高阶曲率补偿电路被配置为：对VBE与温度变化产生的非线性关系进行补偿。
本发明授权多级曲率补偿的带隙基准电压电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种多级曲率补偿的带隙基准电压电路，包括：一阶温度补偿电路和高阶曲率补偿电路，其特征在于，所述一阶温度补偿电路与所述高阶曲率补偿电路分离解耦，所述高阶曲率补偿电路由多个VBE非线性补偿电路级联组成，所述一阶温度补偿电路被配置为对VBE与温度变化产生的线性关系进行补偿，所述高阶曲率补偿电路被配置为对VBE与温度变化产生的非线性关系进行补偿；所述VBE非线性补偿电路包括：第二运算放大器、NMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PNP管、第四PNP管、PTAT电流源、补偿电流源和偏置电流源；所述PTAT电流源连接所述第三PNP管的发射极，用于为所述第三PNP管提供偏置电流；所述补偿电流源分别连接所述NMOS晶体管的漏极和所述第二PMOS晶体管的栅极，用于为所述第四PNP管提供偏置电流；所述NMOS晶体管的源极连接所述第四PNP管的发射极，所述第二PMOS晶体管的漏极连接所述偏置电流源，所述偏置电流源的另一端接地；所述第二运算放大器的第一输入端连接所述第三PNP管的发射极，所述第二运算放大器的第二输入端连接所述第四PNP管的发射极，所述第二运算放大器的输出端连接所述NMOS晶体管的栅极；所述第三PNP管和所述第四PNP管的集电极接地。
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