TCL华星光电技术有限公司李重阳获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411998552.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及显示面板是由李重阳;罗传宝;周楷设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供了一种阵列基板及显示面板，阵列基板具有显示区，包括基板，第一有源结构，第一栅极，第一源极，钝化层和第一漏极。其中第一有源结构包括半导体层和导体层，导体层设置在该半导体层靠近基板的一侧，且导体层具有一开口，半导体层的至少一部分设置在开口内。通过控制该开口的宽度，可以实现薄膜晶体管超短沟道效果，以解决现有阵列基板薄膜晶体管器件尺寸受限于黄光制程的缺陷，在减小器件尺寸的同时提高电流通过能力，满足高像素密度的要求。
本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区，所述阵列基板包括： 基板； 第一有源结构，设置于所述基板上，位于所述显示区，所述第一有源结构包括半导体层和导体层，所述导体层设置在所述半导体层靠近基板的一侧，所述导体层具有一开口，所述半导体层的至少一部分设置在所述开口内； 第一栅极，设置于所述基板上并位于所述显示区； 第一源极，设置于所述第一有源结构上并位于所述显示区，并与所述第一有源结构连接； 钝化层，设置在所述第一源极远离所述基板的一侧； 第一漏极，设置于所述钝化层上，位于所述显示区，并与所述第一有源结构连接； 其中，所述导体层包括连接的第一导体部和第二导体部，所述第一导体部设置在第二导体部靠近开口的一侧，所述半导体层填充所述开口，并覆盖所述第一导体部远离所述基板的一侧，所述第一源极和所述第一漏极分别与所述第二导体部连接。
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