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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板、显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855239B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411999663.9，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板、显示面板及显示装置是由罗传宝设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板、显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括第一晶体管，第一晶体管包括第一导体部、第二导体部、第一半导体部、第一栅极、第一源极以及第一漏极，通过将第一导体部和第二导体部间隔设置，并将第一半导体部至少连接于第一导体部与第二导体部之间，第一半导体部的一端内缩于第一导体部远离第二导体部的一端，第一半导体部的另一端内缩于第二导体部远离第一导体部的一端，第一源极与第一导体部搭接，第一漏极与第二导体部搭接，第一半导体部位于第一导体部与第二导体部之间的部分即为沟道，从而不仅可以减小第一晶体管的尺寸，还可以提高第一晶体管的稳定性。

本发明授权阵列基板、显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一导体部、第二导体部、第一半导体部、第一栅极、第一源极以及第一漏极，所述阵列基板还包括： 衬底； 导体层，设置于所述衬底上，所述导体层包括所述第一导体部和所述第二导体部所述第一导体部与所述第二导体部间隔设置； 半导体层，设置于所述衬底上，所述半导体层包括所述第一半导体部，所述第一半导体部至少连接于所述第一导体部与所述第二导体部之间； 栅极层，设置于所述半导体层远离所述衬底的一侧，所述栅极层包括所述第一栅极；以及 源漏极层，设置于所述半导体层远离所述衬底的一侧，所述源漏极层包括所述第一源极和所述第一漏极； 其中，所述第一半导体部的一端内缩于所述第一导体部远离所述第二导体部的一端，所述第一半导体部的另一端内缩于所述第二导体部远离所述第一导体部的一端，所述第一源极与所述第一导体部搭接，所述第一漏极与所述第二导体部搭接；所述第一半导体部包括第一子半导体部、第二子半导体部以及第三子半导体部，所述第一子半导体部设置于所述第一导体部远离所述衬底的表面上，所述第二子半导体部设置于所述第二导体部远离所述衬底的表面上，所述第三子半导体部连接于所述第一子半导体部与所述第二子半导体部之间，并且所述第三子半导体部设置于所述第一导体部与所述第二导体部之间，所述第一子半导体部在所述第一导体部上的正投影位于所述第一导体部内，所述第二子半导体部在所述第二导体部上的正投影位于所述第二导体部内。

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