辽宁工程技术大学黄伟义获国家专利权
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龙图腾网获悉辽宁工程技术大学申请的专利一种高抗偏移及超低杂散磁场的复合屏蔽式磁耦合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864961B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510156434.9，技术领域涉及：H02J50/70；该发明授权一种高抗偏移及超低杂散磁场的复合屏蔽式磁耦合结构是由黄伟义;陈伟华;刘源设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高抗偏移及超低杂散磁场的复合屏蔽式磁耦合结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高抗偏移及超低杂散磁场的复合屏蔽式磁耦合结构，包括固定层，磁屏蔽层，发射线圈LP1,“工”型磁芯，单极型线圈LP2与集成于无人机起落架内的两组“I”型磁芯结构及绕制在“I”上的螺旋线圈构成；本发明针对现有无人机无线充电系统存在抗偏移性能较弱及较高杂散磁场的问题，通过利用所述复合屏蔽式磁耦合机构的有源及无源屏蔽方式实现了超低杂散磁场分布特性。本发明所述磁耦合机构能够实现超低杂散磁场及高抗偏移的无人机无线充电系统设计。
本发明授权一种高抗偏移及超低杂散磁场的复合屏蔽式磁耦合结构在权利要求书中公布了：1.一种高抗偏移及超低杂散磁场的复合屏蔽式磁耦合结构，其特征在于： 发射平台与设置于无人机起落架内的接收结构； 发射平台包括固定平面，固定平面上方设置有铁氧体屏蔽层，铁氧体屏蔽层上方设置有发射线圈LP1,“工”型磁芯，“工”型磁芯上绕制单极型线圈LP2； 接收结构包括两组“I”型磁芯结构及绕制在“I”上的螺旋线圈； 发射平台为复合屏蔽式磁耦合结构，其利用了铁氧体屏蔽层和“工”型磁芯的无源屏蔽特性及发射线圈LP1的有源屏蔽特性，且发射线圈LP1与单极型线圈LP2采用异名端串联连接； 当流经Lp1的电流IA与流经Lp2的电流IB相反时，线圈左侧PL点及右侧PR点，其杂散磁场分别为和线圈LP1在PR点产生的杂散磁场为线圈LP2在PL点产生的杂散磁场为此时， 其中，发射线圈LP1采用平面螺旋绕制，绕制内径与“工”型磁芯相同，线圈采用紧密绕制方式，Lp1绕制圈数直接影响杂散磁场约束强度； 所述的复合屏蔽式磁耦合结构，在接收线圈的位置产生的磁场向上，且在线圈外侧的杂散磁场呈现抵消特性。
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