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龙图腾网获悉深圳市时创意电子股份有限公司申请的专利检测闪存芯片编程干扰的方法、闪存芯片和存储设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119889401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411956255.5，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权检测闪存芯片编程干扰的方法、闪存芯片和存储设备是由戈慧敏;黄善勇;卢颖福设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本检测闪存芯片编程干扰的方法、闪存芯片和存储设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种检测闪存芯片编程干扰的方法、闪存芯片和存储设备，所述检测闪存芯片编程干扰的方法包括步骤：在闪存芯片的一存储块中选定目标cell单元；在所述目标cell单元中写入随机数据；读取所述目标cell单元的阈值电压数据，记录为目标检测数据；以预设规则在所述存储块的预设cell单元中写入随机数据；读取所述预设cell单元的阈值电压数据，记录为参考检测数据；计算所述参考检测数据相对于所述目标检测数据的偏移量，当所述偏移量超过预设值时，判定所述闪存芯片存在严重的编程干扰。通过上述方法，能够准确评估闪存芯片的编程干扰程度，保障闪存芯片的可靠性。

本发明授权检测闪存芯片编程干扰的方法、闪存芯片和存储设备在权利要求书中公布了：1.一种检测闪存芯片编程干扰的方法，其特征在于，包括步骤： 在闪存芯片的一存储块中选定目标cell单元； 在所述目标cell单元中写入随机数据； 读取所述目标cell单元的阈值电压数据，记录为目标检测数据； 以预设规则在所述存储块的预设cell单元中写入随机数据； 读取所述预设cell单元的阈值电压数据，记录为参考检测数据；以及 计算所述参考检测数据相对于所述目标检测数据的偏移量，当所述偏移量超过预设值时，判定所述闪存芯片存在严重的编程干扰； 以所述存储块中的第一个cell单元为所述目标cell单元，在以预设规则在所述存储块的预设cell单元中写入随机数据这一步骤中，以至少两种不同的编程顺序对所述存储块中的cell单元进行编程，且所述预设cell单元与所述目标cell单元相同； 以第一编程顺序进行编程直至所述存储块中填满随机数据，并读取所述预设cell单元的阈值电压数据，记录为第一顺序参考检测数据；以第二编程顺序进行编程直至所述存储块中填满随机数据，并读取所述预设cell单元的阈值电压数据，记录为第二顺序参考检测数据； 在计算所述参考检测数据相对于所述目标检测数据的偏移量，当所述偏移量超过预设值时，判定所述闪存芯片存在严重的编程干扰这一步骤中，包括： 计算所述第一顺序参考检测数据相对于所述目标检测数据的偏移量，记为第一偏移量； 计算所述第二顺序参考检测数据相对于所述目标检测数据的偏移量，记为第二偏移量；以及 当所述第一偏移量或所述第二偏移量超过预设值时，判定所述闪存芯片存在严重的编程干扰。

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