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龙图腾网获悉昆山清元电子科技有限公司申请的专利一种中熵低介微波陶瓷获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119899043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510061719.4，技术领域涉及：C04B35/81；该发明授权一种中熵低介微波陶瓷是由刘隽甫;苏杭;孙士伦;刘亦谦设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种中熵低介微波陶瓷在说明书摘要公布了：本发明公开了一种中熵低介微波陶瓷，属于电子陶瓷材料技术领域，其制备方法包括以下步骤：步骤1：按照等摩尔比将MgO、CoO和ZnO粉体混合得混合物Z，在球磨机中以去离子水为研磨介质，使用湿法研磨法将混合物Z研磨至粒度小于10微米，烘干，得混合粉体；步骤2：在MgCl2、CoCl2和ZnCl2混合水溶液中，加入柠檬酸和乙二醇，加热搅拌，得混合液C；步骤3：称取晶须复合多孔硅微粉，加入到步骤2的混合液C中搅拌，用碳酸氢钠调节pH，继续搅拌，加热之后加入步骤1得到的混合粉体，搅拌后依次过滤、压制成型、烧结，得到中熵低介微波陶瓷。本发明制备的中熵低介微波陶瓷具有低介电常数、低介电损耗，总体性能优越，符合使用要求。

本发明授权一种中熵低介微波陶瓷在权利要求书中公布了：1.一种中熵低介微波陶瓷，其特征在于：其组成材料包括三元硅酸盐A2SiO4和晶须复合多孔硅微粉，其中A由等摩尔元素Mg、Co、Zn组成； 所述中熵低介微波陶瓷的制备方法，包括以下步骤： 步骤1：按照等摩尔比将MgO、CoO和ZnO粉体混合得混合物Z，在球磨机中以去离子水为研磨介质，使用湿法研磨法将混合物Z研磨至粒度小于10微米，烘干，得混合粉体； 步骤2：按重量份计，在50～100份的混合水溶液中，加入0.1～0.3份柠檬酸和1～2份乙二醇，加热至60～80℃，搅拌0.5～1h，得混合液C，混合水溶液的溶质包括MgCl2、CoCl2和ZnCl2，MgCl2、CoCl2和ZnCl2的浓度均为0.2～0.3molL； 步骤3：按重量份计，称取5份晶须复合多孔硅微粉，加入到步骤2的混合液C中，搅拌20～40min，用碳酸氢钠调节pH至9～10，继续搅拌1～2h，加热至60～80℃，然后加入2～4份步骤1得到的混合粉体，搅拌10～20min后依次过滤、压制成型、烧结，得到中熵低介微波陶瓷； 所述晶须复合多孔硅微粉的制备方法，包括以下步骤： S1.按重量份计，取10份硅微粉和0.18～0.22份精萘，加入30～50份乙醚，搅拌均匀，加热蒸发，得到固体物； S2.按重量份计，将S1中固体物与6～10份改性Si3N4粉末混合得固体混合物B，取10～15份固体混合物B加入到10～15份质量分数为1％的聚乙烯醇水溶液中，进行湿式球磨，制得混合浆料； S3.将S2中混合浆料置于干燥炉内烘干，进行成型和烧结，然后降至室温，碾碎，过80～120目筛网，得到晶须复合多孔硅微粉； 所述改性Si3N4粉末的制备方法，包括以下步骤： Q1.按重量份计，将5份α-Si3N4粉末加入40～60份质量浓度为2～4％的聚丙烯酸钠水溶液中，加热至40～60℃，搅拌10～30min，然后滴加0.2～0.4份质量分数为30％过氧化氢溶液，搅拌1～2h，过滤得预处理粉体； Q2.按重量份计，取0.3～0.5份磷酸加入到10～20份乙醇中，然后加入0.4～0.6份纳米氟化镁，继续搅拌5～15min，得改性液； Q3.将Q1的预处理粉体加入到Q2的改性液中，搅拌1～2h，过滤，放入马弗炉中，煅烧，降至室温，得到改性Si3N4粉末。

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