南华大学徐守龙获国家专利权
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龙图腾网获悉南华大学申请的专利基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119936960B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510207534.X,技术领域涉及:G01T3/00;该发明授权基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统及方法是由徐守龙;刘畅;魏翠悦;王治林;钟翊君;邹树梁设计研发完成,并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统及方法在说明书摘要公布了:基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统及方法,涉及中子测量技术领域。基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统,包括探测器;探测器包括有源像素传感器;有源像素传感器的感光面无玻璃封装,有源像素传感器的感光面有层状的中子转换材料。一种中子测量方法,应用于基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统;方法如下:中子与目标元素发生核反应,产生的α射线入射到有源像素传感器的感光面上,使有源像素传感器产生辐射响应信号;通过统计辐射响应信号即实现对中子的间接测量。本发明的优点在于:将特定的中子转换材料与有源像素传感器相结合,将中子探测转化为有源像素传感器擅长的α粒子探测,显著提高了中子尤其是热中子的探测效率。
本发明授权基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统及方法在权利要求书中公布了:1.基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统,其特征是:包括探测器;探测器包括有源像素传感器;有源像素传感器的感光面无玻璃封装,有源像素传感器的感光面附着或贴放或隔空正对布置有层状的中子转换材料,中子转换材料用于与中子发生核反应并产生α射线; 所述中子转换材料贴放或隔空正对布置在有源像素传感器的感光面上,中子转换材料为厚度在200nm~2um之间的二维六方氮化硼薄膜,二维六方氮化硼薄膜附着在铜箔片表面,二维六方氮化硼中的硼元素为10B。
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