上海华虹宏力半导体制造有限公司段文婷获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利隔离结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510020346.6，技术领域涉及：H01L21/76；该发明授权隔离结构及其形成方法是由段文婷;胡君;房子荃设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本隔离结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种隔离结构及其形成方法，深沟槽隔离穿过P型外延层深入P型衬底。深沟槽隔离底部的P型注入区起到了防止两侧N型区域穿通的作用。本发明通过在两个深沟槽隔离之间形成P型埋层、P阱及P型重掺杂区，在两个深沟槽隔离之间的衬底表面引出P型重掺杂区，即保持P型衬底始终零电位。本发明提高了保持电压Vhold衡量NPN开启水平、提高了击穿电压及触发NPN开启的电流，抑制了NPN开启，满足了深沟槽隔离结构在P型衬底悬空时的应用。
本发明授权隔离结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种隔离结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供P型衬底，在所述P型衬底的靠近上表面区域形成位于中间的P型埋层，以及位于所述P型埋层两侧的N型埋层；形成覆盖所述P型埋层和所述N型埋层的P型外延层； 向所述P型外延层选择性注入N型杂质形成分别位于两侧的所述N型埋层正上方的两个N型深阱； 形成浅沟槽隔离，在中间的所述P型外延层与两侧的所述N型深阱的交界区域且靠近所述P型外延层的上表面的位置分别形成一所述浅沟槽隔离； 形成深沟槽隔离，两个所述深沟槽隔离自上而下分别依次贯穿所述浅沟槽隔离、中间的所述P型外延层与两侧的所述N型深阱的交界区域、中间的所述P型埋层与两侧的所述N型埋层的交界区域以及下方部分深度的所述P型衬底；每个所述深沟槽隔离的底部形成有P型注入区； 形成N阱和P阱，所述P阱位于两个所述深沟槽隔离之间的所述P型外延层的靠上区域； 进行源漏离子注入，形成N型重掺杂区和P型重掺杂区，所述P型重掺杂区位于所述P阱的靠上区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励