圣邦微电子(北京)股份有限公司刘余家获国家专利权
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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利电阻梯度效应的补偿方法和电压采样电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119945430B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411999616.4,技术领域涉及:H03M1/06;该发明授权电阻梯度效应的补偿方法和电压采样电路是由刘余家;易新敏;刘晓琳设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻梯度效应的补偿方法和电压采样电路在说明书摘要公布了:本公开的实施例提供一种电阻梯度效应的补偿方法和电压采样电路,该方法包括:将电压采样电路中的分压电阻分为高位分压电阻和低位分压电阻,高位分压电阻和低位分压电阻均为三端电阻,将高位分压电阻的第三端接电源电压,将低位分压电阻的第三端接sub电位;以及调整高位分压电阻的串接电阻数量,使高位分压电阻和低位分压电阻的总阻值与目标值之间的偏差小于预设偏差,目标值为高位分压电阻和低位分压电阻的理想阻值之和。
本发明授权电阻梯度效应的补偿方法和电压采样电路在权利要求书中公布了:1.一电阻梯度效应的补偿方法,其特征在于,包括: 将电压采样电路中的分压电阻分为高位分压电阻和低位分压电阻,所述高位分压电阻的一端连接电源输入端,另一端连接所述低位分压电阻,所述低位分压电阻的低电位端连接低位修正电阻,每个低位修正电阻两端并联对应的开关管,所述高位分压电阻和低位分压电阻均为三端电阻,将所述高位分压电阻的第三端接电源电压,将所述低位分压电阻的第三端接sub电位,所述sub电位为芯片最低电位;以及 调整所述高位分压电阻的串接电阻数量,使所述高位分压电阻和低位分压电阻的总阻值与目标值之间的偏差小于预设偏差,所述目标值为所述高位分压电阻和低位分压电阻的理想阻值之和,所述高位分压电阻的阻值大于理想阻值,所述低位分压电阻的阻值小于理想阻值; 设置最小修正步长和每个低位修正电阻的步长; 根据所述高位分压电阻与低位分压电阻的总阻值与目标值之间的偏差和低位修正电阻的阻值步长,控制相应的开关管导通状态,以补偿误差,其中包括:根据所述高位分压电阻与低位分压电阻的总阻值与目标值之间的偏差计算电压采样误差,根据所述电压采样误差设置各个开关管的修正码值,根据所述修正码值控制开关管的导通状态:当修正码值为1时,开关管导通,将对应的低位修正电阻短接在所述电压采样电路中;当修正码值为0时,开关管断开,将对应的低位修正电阻串接在所述电压采样电路中。
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