北京超弦存储器研究院田超获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947106B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311444327.3，技术领域涉及：H10B41/50；该发明授权半导体器件及其制造方法、存储器是由田超;平延磊;周俊;贾礼宾;石峰;王耐征设计研发完成，并于2023-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法、存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器。在本申请实施例提供了的半导体器件的制造方法中，第i次沉积形成的覆盖于第i‑1过渡台阶结构的叠置单元的数量，是第i‑1次沉积形成的叠置单元的数量的二分之一，从而在对第i次沉积形成的叠置单元进行第i次图案化后，使得第i过渡台阶结构的台阶数量为第i‑1过渡台阶结构的台阶数量的2倍，从而能够显著减小形成符合预期的台阶结构所需要的图案化工艺的次数，有助于降低半导体器件的制造难度，以及有助于降低半导体器件的制造成本。
本发明授权半导体器件及其制造方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 进行第一次沉积，在衬底的一侧形成至少两个层叠设置的叠置单元；所述叠置单元包括至少两个叠层； 进行第一次图案化，暴露出部分所述衬底的表面并形成第一过渡台阶结构； 进行第i次沉积，形成覆盖于第i-1过渡台阶结构和部分所述衬底的叠置单元；第i次沉积形成的叠置单元的数量，是第i-1次沉积形成的叠置单元的数量的二分之一；对第i次沉积形成的叠置单元进行第i次图案化，暴露出部分所述衬底的表面并形成第i过渡台阶结构；其中，所述第i过渡台阶结构的台阶数量为所述第i-1过渡台阶结构的台阶数量的2倍； 确定第i过渡台阶结构的台阶数量是否满足设定数量；若是，则得到符合预期的台阶结构；若否，则继续制造第i+1过渡台阶结构；所述i为大于1的正整数。
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