西安电子科技大学宁静获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种高散热双层背势垒晶体管以及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510120565.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高散热双层背势垒晶体管以及制备方法和应用是由宁静;张新博;张进成;武海迪;张亚宁;王东;马佩军;郝跃设计研发完成，并于2025-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高散热双层背势垒晶体管以及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高散热双层背势垒晶体管以及制备方法和应用，涉及微电子技术领域。包括衬底，以及衬底上依次叠层设置的多层h‑BN层、控位B扩散双层背势垒层、沟道层、势垒层、帽层、钝化层和金属栅极层；多层h‑BN层为高能铝离子定点注入的多层h‑BN层；控位B扩散双层背势垒层包括在多层h‑BN层上依次沉积的AlN层和GaN层。本发明利用定点离子注入技术达到控位B扩散辅助外延势垒层的效果，进一步于背势垒的上层GaN和下层AlN通过两步B扩散高斯分布法形成一个双层背势垒，背势垒内部由于B界面态调控，优化了上层和下层之间的晶格失配和热失配问题，大幅度提高散热能力，同时双层的背势垒也可以有效减少漏电流，提高晶体管击穿电压。
本发明授权一种高散热双层背势垒晶体管以及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高散热双层背势垒晶体管，其特征在于，包括衬底，以及所述衬底上依次叠层设置的多层h-BN层、控位B扩散双层背势垒层、沟道层、势垒层、帽层、钝化层和金属栅极层； 所述多层h-BN层为高能铝离子定点注入的多层h-BN层； 所述控位B扩散双层背势垒层包括在多层h-BN层上依次沉积的AlN层和GaN层。
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