柔电(武汉)科技有限公司解明获国家专利权
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龙图腾网获悉柔电(武汉)科技有限公司申请的专利一种利用ALD和CVD技术制备的硅碳复合负极材料及制备方法及锂电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119954159B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411943643.X，技术领域涉及：C01B33/035；该发明授权一种利用ALD和CVD技术制备的硅碳复合负极材料及制备方法及锂电池是由解明;肖晶晶;张宣宣;肖翌;吴欣蓓;孙君设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用ALD和CVD技术制备的硅碳复合负极材料及制备方法及锂电池在说明书摘要公布了：本发明公布了一种利用ALD和CVD技术制备的硅碳复合负极材料及制备方法及锂电池，包括利用ALD原子层沉积法在碳基底材料的表面生长第一金属氧化物；在反应腔中使碳基底材料的表面第一金属氧化物还原为含金属元素的纳米点；将分布有所述纳米点的碳基底材料置于反应炉中加热并注入气体混合物，气体混合物包含硅烷和惰性气体，基于硅烷CVD裂解工艺在纳米点上生长硅纳米线；将生长硅纳米线的碳基底材料置于反应炉中加热并注入烃气体，基于CVD裂解工艺在硅纳米线表面包覆碳层，得到硅碳复合负极材料，以上的制备硅碳复合负极材料的方法可以有效防止硅纳米线在充放电过程中的体积膨胀，提高了硅碳复合负极材料的循环性能。
本发明授权一种利用ALD和CVD技术制备的硅碳复合负极材料及制备方法及锂电池在权利要求书中公布了：1.一种利用ALD和CVD技术制备硅碳复合负极材料的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1.利用ALD原子层沉积法在碳基底材料的表面生长第一金属氧化物； 步骤2.在反应腔中使碳基底材料的表面第一金属氧化物还原为含金属元素的纳米点； 步骤3.将分布有所述纳米点的碳基底材料置于反应炉中加热并注入气体混合物，气体混合物包含硅烷和惰性气体，基于化学气相沉积工艺在纳米点上生长硅纳米线； 步骤4.在碳基底材料的硅纳米线表面涂覆碳层，得到硅碳复合负极材料。
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