中国科学院福建物质结构研究所耿子龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院福建物质结构研究所申请的专利一种深紫外透过的硫酸钪钾非线性光学晶体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119956492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311488439.9，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权一种深紫外透过的硫酸钪钾非线性光学晶体及其制备方法和应用是由耿子龙;傅瑞标设计研发完成，并于2023-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种深紫外透过的硫酸钪钾非线性光学晶体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于无机非线性光学材料技术领域，尤其涉及一种深紫外透过的硫酸钪钾非线性光学晶体及其制备方法和应用，所述晶体的化学式为K3ScSO43，属于单斜晶系，所述晶体在不同温度下具有不同的空间群：在200K以下的空间群为PcNo.7，在202K以上的空间群为IaNo.9，所述晶体的相变温度在200～202K。本发明的硫酸钪钾非线性光学具有优良的非线性光学性能，其粉末倍频强度约为1.62倍的KDP，宽透光范围和短的深紫外截止边190nm，并能够实现Nd:YAG1064nm激光器的倍频激光输出。
本发明授权一种深紫外透过的硫酸钪钾非线性光学晶体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种硫酸钪钾晶体，其特征在于，所述硫酸钪钾晶体的化学式为K3ScSO43，属于单斜晶系，所述硫酸钪钾晶体在不同温度下具有不同的空间群：在200K以下的空间群为PcNo.7，在202K以上的空间群为IaNo.9，所述硫酸钪钾晶体的相变温度在200~202K； 所述硫酸钪钾晶体的晶胞参数为a=8.8~9.3Å，b=14.0~14.5Å，c=8.8~9.3Å，α=γ=90°，β=105~110°，V=1100~1200Å3；所述硫酸钪钾晶体为非线性光学晶体。
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