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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种半导体光放大器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119965680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411940060.1，技术领域涉及：H01S5/50；该发明授权一种半导体光放大器及其制备方法是由王瑞军;许泽杭;王言方;柯旸;余思远设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体光放大器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体光放大器及其制备方法。半导体光放大器在长度方向上依次包括：无源折射率导引区、有源折射率导引区、有源增益导引区、无源增益导引区；在所述有源折射率导引区上形成有第一电极；在所述有源增益导引区上形成有第二电极；所述无源折射率导引区和所述无源增益导引区，由上至下依次包括：SiNx层、p‑InP层、无源InGaAs层、n‑InP层、InP衬底和n‑metal层；本发明的半导体光放大器的输入端和输出端的有源层替换为无源InGaAs层，保护含铝有源区，避免其与空气直接接触，从而有效防止含铝有源区的氧化；同时，无源InGaAs层并非电介质，其优异的导热性能使得器件在大功率工作条件下能够更有效地散热，进一步提升了其工作稳定性和可靠性。

本发明授权一种半导体光放大器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光放大器，其特征在于，在长度方向上依次包括：无源折射率导引区1、有源折射率导引区2、有源增益导引区3、无源增益导引区4；在所述有源折射率导引区2上形成有第一电极5；在所述有源增益导引区上形成有第二电极6；所述无源折射率导引区1、有源折射率导引区2共同构成折射率导引区；所述有源增益导引区3、无源增益导引区4共同构成增益导引区； 所述无源折射率导引区1和所述无源增益导引区4，由上至下依次包括：SiNx层7、p-InP层8、无源InGaAs层9、n-InP层10、InP衬底11和n-metal层12； 所述有源折射率导引区2和所述有源增益导引区3，由上至下依次包括：p-metal层13、p-OhmicContact层14、p-InP层8、InGaAsP腐蚀停止层15、电子阻挡层16、SCH层17、MQW多量子阱层18、SCH层17、n-InP层10、InP衬底11、n-metal层12。

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