买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖南静芯半导体科技有限公司申请的专利栅控增强型非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967834B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510095285.X，技术领域涉及：H10D18/80；该发明授权栅控增强型非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法是由董鹏;张科;吴忠信;杨健;李幸设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅控增强型非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅控增强型非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法；衬底P‑Sub中设有第一NBL区；NBL区上方设有第一环状HVNW区和第一至第二P‑Epi区；HVNW区和P‑Epi区上方设有第一至第四PW区和第一至第三NW区；第一PW区中设有第一P+注入区；第二PW区中设有第一条形多晶硅栅、第二P+注入区、第二条形多晶硅栅、第一N+注入区和第三P+注入区；第二NW区中设有第二N+注入区；第三PW区中设有第三条形多晶硅栅、第四P+注入区、第四条形多晶硅栅、第三N+注入区和第五P+注入区；第三NW区中设有第四N+注入区；第四PW中设有第六P+注入区。本发明构成了一种栅控增强型非对称双向可控硅，在N+注入区内嵌入多晶硅栅，增强了栅控效应，降低了寄生NPN的发射效率，以提高维持电压。

本发明授权栅控增强型非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种栅控增强型非对称双向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括： 衬底P-Sub；所述衬底P-Sub中设有第一NBL区； 所述NBL区上方设有第一环状HVNW区、第一P-Epi区和第二P-Epi区； 所述HVNW区、所述第一P-Epi区和所述第二P-Epi区上方从左至右依次设有第一PW区、第一NW区、第二PW区、第二NW区、第三PW区、第三NW区、第四PW区；所述衬底P-Sub上方从左至右依次设有第一场氧隔离区、第一P+注入区、第二场氧隔离区、第二P+注入区、第一N+注入区、第三P+注入区、第三场氧隔离区、第二N+注入区、第四场氧隔离区、第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第五场氧隔离区、第四N+注入区、第六场氧隔离区、第六P+注入区和第七场氧隔离区；其中，还包括第一条形多晶硅栅、第二条形多晶硅栅、第三条形多晶硅栅、第四条形多晶硅栅，所述第一条形多晶硅栅设置在第二场氧隔离区与第二P+注入区之间，所述第二条形多晶硅栅设置在第二P+注入区与第三P+注入区之间，所述第三条形多晶硅栅设置在第四场氧隔离区与第四P+注入区之间，所述第四条形多晶硅栅设置在第四P+注入区与第五P+注入区之间，在第一N+注入区进行分段，嵌入第二条形多晶硅栅，在第三N+注入区进行分段，嵌入第四条形多晶硅栅；所述第一P+注入区设在第一PW区中；所述第一条形多晶硅栅、第二P+注入区、第二条形多晶硅栅、第一N+注入区、第三P+注入区设在第二PW区中；所述第二N+注入区设在第二NW区中；所述第三条形多晶硅栅、第四P+注入区、第四条形多晶硅栅、第三N+注入区和第五P+注入区设在第三PW区中；所述第四N+注入区设在第三NW区中；所述第六P+注入区设在第四PW区中； 所述第一P+注入区、第一条形多晶硅栅、第二P+注入区、第二条形多晶硅栅、第一N+注入区和第六P+注入区相连作为器件的阴极； 所述第三条形多晶硅栅、第四P+注入区、第四条形多晶硅栅和第三N+注入区相连作为器件的阳极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南静芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：410201 湖南省长沙市长沙经济技术开发区东六路南段77号金科亿达科技城C2栋1804、1806、1807、1808室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。