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龙图腾网获悉广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种紫外器件的全无机封装结构、封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997694B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411972552.9，技术领域涉及：H10H20/853；该发明授权一种紫外器件的全无机封装结构、封装方法是由李文博;孙钱;陈征;杨勇;李光辉设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紫外器件的全无机封装结构、封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED封装的技术领域，公开了一种紫外器件的全无机封装结构、封装方法，所述全无机封装结构包括基板、围坝支架、紫外芯片、光窗盖板，所述围坝支架的顶端部形成有用于放置所述光窗盖板的限位凹槽，所述光窗盖板放置于所述围坝支架的限位凹槽内，且通过合金层实现所述光窗盖板与所述围坝支架的气密焊接，其中，所述合金层为金属层和焊片层共晶键合形成，利用金属层和焊片层之间相互作用，实现紫外器件的封装，使封装腔体内不存在杂质，很好地保护了紫外芯片的发光性能，而且紫外器件的气密性好、耐候性好、可靠性高，而且可以降低成本。

本发明授权一种紫外器件的全无机封装结构、封装方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外器件的全无机封装结构，其特征在于，包括： 基板； 围绕所述基板设置的具有空腔的围坝支架； 于所述基板上设置的至少一个紫外芯片，所述紫外芯片位于所述围坝支架的空腔内； 与所述围坝支架相适配的光窗盖板； 所述围坝支架的顶端部形成有用于放置所述光窗盖板的限位凹槽，所述光窗盖板放置于所述围坝支架的限位凹槽内，且通过合金层实现所述光窗盖板与所述围坝支架的气密焊接，其中，所述合金层为金属层和焊片层共晶键合形成； 所述金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置于所述光窗盖板靠近限位凹槽的一侧，所述第二金属层设置于所述限位凹槽靠近光窗盖板的一侧，所述焊片层设置于第一金属层和第二金属层之间； 所述限位凹槽上形成有至少一个用于放置所述光窗盖板的余量部；所述限位凹槽的边缘上形成有弯曲结构； 所述弯曲结构为凸起结构或凹陷结构； 所述弯曲结构的最大弯曲宽度为d1，所述限位凹槽的外侧边缘与所述围坝支架的外侧边缘之间的距离为d2，d1＜0.5d2； 所述弯曲结构的最大弯曲长度为d3，所述限位凹槽的外围宽度为W1，d3＜0.5W1，或者0.7W1＜d3＜W1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：528225 广东省佛山市南海区狮山镇科教路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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