西安电子科技大学宁静获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于人工构造导电细丝的忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997801B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510110703.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权基于人工构造导电细丝的忆阻器及其制备方法是由宁静;马田田;王东;张进成;马佩军;郝跃设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于人工构造导电细丝的忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于人工构造导电细丝的忆阻器及其制备方法，该忆阻器自下而上依次包括衬底、底电极、阻变层以及顶电极；其中，阻变层采用夹层结构，包括多层外延层，多层外延层的氧空位浓度自下而上呈先增后减状分布；且位于中间的外延层上形成有若干人工构造的导电细丝。本发明提出的忆阻器设计了包括多层外延层的阻变层结构，多层多层外延层的氧空位浓度自下而上呈先增后减状分布。这种结构设计通过对氧空位浓度的精准调控，促进了高效的氧空位导电细丝网络的生成，不仅提升了氧空位的活性，还加速它们在忆阻器中的迁移过程，从而显著增强忆阻器的记忆能力和非线性特性。
本发明授权基于人工构造导电细丝的忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于人工构造导电细丝的忆阻器，其特征在于，自下而上依次包括衬底、底电极、阻变层以及顶电极； 其中，所述阻变层采用夹层结构，包括多层外延层，所述多层外延层的氧空位浓度自下而上呈先增后减状分布；且位于中间的外延层中通过刻蚀形成有若干人工构造的导电细丝。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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