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龙图腾网获悉无锡缶英微电子科技有限公司申请的专利一种硅电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120015732B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510164294.X，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权一种硅电容器是由陈涛设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅电容器在说明书摘要公布了：本发明涉及硅电容器技术领域，广泛应用于各类射频、光通信产品的应用场景。主要技术为一种硅电容器包括：硅通孔衬底、介电层、第二电极层、绝缘层、第一电极层、通孔引线和上下焊盘。硅通孔衬底的通孔为圆柱形，棱柱形或哑铃型，圆柱和棱柱形侧壁垂直，哑铃型侧壁倾斜，通过硅的两面各向异性腐蚀形成的倒四棱台，通孔阵列排布形成重复结构，单个通孔的开口直径为2μm～20μm。本发明采用硅通孔技术，两面开口，克服现有技术中U形深槽刻蚀均匀性差，孔的深度不能保证一致，以及U形深槽一面开口，造成电容器制备过程应力大而碎片的问题。

本发明授权一种硅电容器在权利要求书中公布了：1.一种硅电容器，其特征在于，包括第一电容器100，所述第一电容器100包括： 第一硅通孔衬底101，所述第一硅通孔衬底101为低阻硅，电阻率为0.001~0.01Ω·cm，厚度为50~300μm，晶向为100； 第一通孔102，设置有多个并阵列交替排布在第一硅通孔衬底101上，所述第一通孔102为圆柱形、棱柱形的其中一种，圆柱形、棱柱形的侧壁均为垂直，单个通孔的开口直径为2μm~20μm； 第一介电层103，均匀覆盖在第一硅通孔衬底101的表面及第一通孔102侧壁全部区域，厚度为1nm~2000nm； 第一上电极层104，均匀覆盖在第一介电层103的表面还包括第一硅通孔衬底101的表面及第一通孔102孔壁侧壁，进而将第一通孔102内部填实，厚度为10nm~2000nm，并与第一介电层103构成上电极结构； 第一绝缘层105，均匀覆盖在第一硅通孔衬底101下表面的第一上电极层104外； 第一通孔引线106，由第一硅通孔衬底101的底部竖向引出，作为第一下电极层107和低阻第一硅通孔衬底101在垂直方向的引线以形成电连接； 第一下电极层107，位于第一硅通孔衬底101底部，均匀覆盖在第一绝缘层105的表面，厚度为10nm~2000nm，与第一硅通孔衬底101共同构成下电极，从而与上电极构成一个完整的电容器结构； 第一上焊盘108，位于第一上电极层104的表面，厚度为1000nm~10000nm； 第一下焊盘109、位于第一下电极层107的表面，厚度为1000nm~10000nm。

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