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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120016287B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510084797.6，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种半导体激光器是由郑锦坚;寻飞林;邓和清;蓝家彬;张会康;李晓琴;陈婉君;蔡鑫;张江勇;李水清设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间具有轨道杂化层，所述轨道杂化层包括第一轨道杂化层、第二轨道杂化层和第三轨道杂化层。本发明所述轨道杂化层的特定共价键能分布和介电常数分布增强能带杂化，增强垂直方向上的Pz轨道杂化以及实空间的交叠，调控界面导电性和双重能带反转，增强沿基面的电子与空穴传输路径，增强空穴离化率和空穴载流子浓度，提升空穴扩展能力，提升外延结构电容值，增强激光器HBM人体模式ESD。

本发明授权一种半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、上限制层105，其特征在于，所述上波导层104与上限制层105之间具有轨道杂化层106，所述轨道杂化层106从下至上依次包括第一轨道杂化层106a、第二轨道杂化层106b和第三轨道杂化层106c； 所述第一轨道杂化层106a的共价键能分布具有函数y1=A+B*xlnx第一象限曲线分布，第二轨道杂化层106b的共价键能分布具有对数函数y2=C+D*logax，0＜a＜1，曲线分布，第三轨道杂化层106c的共价键能分布具有函数y3=E+F*xlnx第四象限曲线分布； 所述第一轨道杂化层106a的介电常数分布具有函数y4=G+H*lnxx曲线分布，第二轨道杂化层106b的介电常数分布具有对数函数y5=I+J*logb1x，b1＞1，曲线分布，第三轨道杂化层106c的介电常数分布具有函数y6=K+L*sinxx2第三象限曲线分布； 所述第一轨道杂化层106a的价带有效态密度分布具有函数y7=M+N*lnxex曲线分布，第二轨道杂化层106b的价带有效态密度分布具有对数函数y8=O+P*logb2x，b2＞1，曲线分布，第三轨道杂化层106c的价带有效态密度分布具有函数y9=Q+R*xex曲线分布； 所述第一轨道杂化层106a的导带有效态密度分布具有函数y10=S+T*sinxx2第一象限曲线分布，第二轨道杂化层106b的导带有效态密度分布具有对数函数y11=U+V*logb3x，b3＞1曲线分布，第三轨道杂化层106c的导带有效态密度分布具有函数y12=W+Z*exx2第二象限曲线分布。

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