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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311543634.7，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器是由张家瑞设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器，该存储芯片的有源面的中心点及其临近区域被定义为全局信号区域；全局信号区域被n个导电通孔组贯穿，同一导电通孔组中的所有导电通孔均用于传输相同的一个全局信号；第i个第一驱动电路，配置为经由第i个第一或逻辑电路，从第i个导电通孔组中接收第i个全局信号，并将第i个全局信号发送至存储芯片的内部电路。

本发明授权一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片，其特征在于，所述存储芯片的有源面的中心点及其临近区域被定义为全局信号区域，且所述全局信号区域的中心点与所述有源面的中心点重合；所述全局信号区域被n个导电通孔组贯穿，同一所述导电通孔组中的所有导电通孔均用于传输相同的一个全局信号；n为正整数； 所述存储芯片还包括n个第一或逻辑电路和n个第一驱动电路；第i个所述第一或逻辑电路的输入端分别与第i个所述导电通孔组中的所有所述导电通孔耦接，第i个所述第一或逻辑电路的输出端与第i个所述第一驱动电路耦接；i为小于或等于n的正整数； 第i个所述第一驱动电路，配置为经由第i个所述第一或逻辑电路，从第i个所述导电通孔组中接收第i个所述全局信号，并将第i个所述全局信号发送至所述存储芯片的内部电路； 其中，每一所述导电通孔组均包括第一导电通孔、第二导电通孔、第三导电通孔和第四导电通孔，所述第一导电通孔和所述第二导电通孔关于第一轴线对称，所述第三导电通孔和所述第四导电通孔关于所述第一轴线对称，所述第一导电通孔和所述第四导电通孔关于第二轴线对称；所述第一轴线和所述第二轴线互相垂直且相交于所述有源面的中心点，所述第一轴线与所述存储芯片的第一侧边平行，所述第二轴线与所述存储芯片的第二侧边平行。

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