广东工业大学谢恒俊获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种负载硼酸镍的磷掺杂氮化碳复合钒酸铋光电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120026360B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510189566.1，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权一种负载硼酸镍的磷掺杂氮化碳复合钒酸铋光电极及其制备方法是由谢恒俊;叶凯航;汤桐鑫;张山青设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种负载硼酸镍的磷掺杂氮化碳复合钒酸铋光电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种负载硼酸镍的磷掺杂氮化碳复合钒酸铋光电极及其制备方法，属于电极材料技术领域。本发明提供了包含BiVO4层、P‑C3N4层和硼酸镍NiBi层的光电极，其中，P‑C3N4层作为空穴传输层，可以快速导走在光照下发生分离的电子和空穴，减少表面电荷的复合，钝化BiVO4界面缺陷，极大的提升了光电极的性能；NiBi层作为助催化剂，可以有效隔绝光生电子，减少BiVO4光电极的光生电子空穴对复合，同时提升了BiVO4的表面催化产氧效率，最终得到了具有较强光生载流子传输能力与良好稳定性的负载硼酸镍的磷掺杂氮化碳复合钒酸铋光电极。
本发明授权一种负载硼酸镍的磷掺杂氮化碳复合钒酸铋光电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种负载硼酸镍的磷掺杂氮化碳复合钒酸铋光电极，其特征在于，包括导电基体和依次负载在所述导电基体上的BiVO4层、P-C3N4层和硼酸镍层； 所述P-C3N4层由P-C3N4纳米片组成；所述硼酸镍层附着在P-C3N4层和BiVO4层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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