上海新微半导体有限公司尚金铭获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利锑化物HEMT结构、外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510210285.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权锑化物HEMT结构、外延结构及其制备方法是由尚金铭;王玮竹;赵旭熠设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本锑化物HEMT结构、外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种锑化物HEMT结构、外延结构及其制备方法。通过在InAs沟道层两侧形成InSb沟道层，由于InSb材料的晶格常数高于InAs材料及GaSb材料，因此在生长过程中InSb材料层会对其两侧的InAs材料层及GaSb材料层产生拉应力的效果，从而提高InSb材料层与InAs材料层之间界面以及InSb材料层与GaSb材料层之间界面的平整性，并有效减少材料中的位错密度，从而提高量子阱的电子迁移率；同时在InSb材料层及AlSb材料层之间插入GaSb材料层可有效保证高温生长AlSb材料层时的高温影响InSb材料层及InAs材料层中In原子的析出，并且GaSb材料层的晶格常数与AlSb材料层失配度很小，从而还可降低位错，提高有源层质量；另外，InAs复合沟道层结构，可形成阶梯状方形量子阱，从而有效增加2DEG的浓度。
本发明授权锑化物HEMT结构、外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锑化物HEMT外延结构，其特征在于，所述外延结构包括： InP衬底；以及 位于所述InP衬底上且自下向上依次排布的缓冲层、第一AlSb势垒层、InAs复合沟道层、AlSb隔离层、第二锑化物势垒层及InAs帽层； 其中，所述InAs复合沟道层自下向上依次包括第一GaSb沟道层、第一InSb沟道层、InAs沟道层、第二InSb沟道层及第二GaSb沟道层； 所述第一GaSb沟道层的厚度为1nm~3nm，所述第一InSb沟道层的厚度为0.3nm~1nm，所述InAs沟道层的厚度为10nm~12nm，所述第二InSb沟道层的厚度为0.3nm~1nm，所述第二GaSb沟道层的厚度为1nm~3nm。
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