西北工业大学付前刚获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种成分可调控(Hfx, Zry)C纳米线及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120057921B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510440684.5，技术领域涉及：C01B32/90；该发明授权一种成分可调控(Hfx, Zry)C纳米线及其制备方法是由付前刚;刘冰;孙佳;丁奕豪;郭凌翔;殷学民设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种成分可调控(Hfx, Zry)C纳米线及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种成分可调控Hfx,ZryC纳米线及其制备方法，该制备方法将ZrCl4和HfCl4粉末按照设定比例混合，得到混合粉末，随后将混合粉末置于化学气相沉积炉粉末升华区，将SiC纳米线模板置于化学气相沉积炉反应恒温区；以H2为反应气，Ar为稀释气，ZrCl4和HfCl4为Zr源和Hf源，在负压环境下进行对纳米线进行反应，待反应结束且降至室温后获得Hfx,ZryC纳米线，所得Hfx,ZryC纳米线成分可调控，与SiC纳米线相比，高温稳定性强，1700℃氧化气氛中仍能保持三维网络结构，并原位转化为Hfx,ZryO2纳米线。该方法制备的Hfx,ZryC纳米线合成温度低，无需使用催化剂，制备工艺稳定，可重复性强。该方法适用范围广，可推广至难熔金属碳化物单组元和多组元固溶纳米线的制备。
本发明授权一种成分可调控(Hfx, Zry)C纳米线及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种成分可调控Hfx,ZryC纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将ZrCl4和HfCl4粉末按照设定比例混合，得到混合粉末，随后将混合粉末置于化学气相沉积炉粉末升华区，将SiC纳米线模板置于化学气相沉积炉反应恒温区；以H2为反应气，Ar为稀释气，ZrCl4和HfCl4为Zr源和Hf源，在负压环境下进行对纳米线进行反应，待反应结束且降至室温后获得Hfx,ZryC纳米线；制备Hfx,ZryC纳米线的反应温度为1300℃-1400℃，反应时间为2-4h，Ar流量为100~500mLmin，H2流量为500~1500mLmin。
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