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龙图腾网获悉西安应用光学研究所申请的专利一种双通道自适应背景扣除高莱探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120084750B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510232407.5，技术领域涉及：G01N21/3581；该发明授权一种双通道自适应背景扣除高莱探测器是由马世帮;俞兵;高峰;王元博;张灯;卢飞;李宏光;娄文宵;李毅;解琪设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双通道自适应背景扣除高莱探测器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双通道自适应背景扣除高莱探测器，属于光学计量测试技术领域，双通道自适应背景扣除高莱探测器包括测量通道、参考通道、气体平衡腔室以及处理电路；测量通道中的第一气体响应腔室中间设有第一吸收膜层，底面设有第一形变膜；参考通道上方设有遮光罩，参考通道中的第二气体响应腔室中间设有第二吸收膜层，底面设有第二形变膜，气体平衡腔室通过第一泄流通道与第一气体响应腔室连通，通过第二泄流通道与第二气体响应腔室连通；处理电路用于测量测量通道和参考通道的电容。本发明可实现实时环境背景辐射扣除，提高了高莱探测器的性能，可使高莱探测器应用于环境背景辐射变化较快的场合中，拓展了高莱探测器的应用场合。

本发明授权一种双通道自适应背景扣除高莱探测器在权利要求书中公布了：1.一种双通道自适应背景扣除高莱探测器，其特征在于，包括： 测量通道600，包括自上而下依次设置的第一光锥610、第一气体响应腔室650以及第一形变电容测量系统，所述第一光锥610和所述第一气体响应腔室650的中心轴线均位于第一中心光轴上；所述第一气体响应腔室650中间设有用于吸收辐射并加热所述第一气体响应腔室650内气体的第一吸收膜层620，所述第一气体响应腔室650底面设有第一形变膜630，所述第一形变电容测量系统包括由支撑环分隔开的第一上电极660和第一下电极670，所述第一形变膜630为所述第一上电极660； 参考通道700，上方设有遮光罩500，用于遮挡红外太赫兹辐射；包括自上而下依次设置的第二光锥710、第二气体响应腔室750以及第二形变电容测量系统，所述第二光锥710和所述第二气体响应腔室750的中心轴线均位于第二中心光轴上；所述第二气体响应腔室750中间设有用于吸收辐射并加热所述第二气体响应腔室750内气体的第二吸收膜层720，所述第二气体响应腔室750底面设有第二形变膜730，所述第二形变电容测量系统包括由支撑环分隔开的第二上电极760和第二下电极770，所述第二形变膜730为所述第二上电极760； 所述第一光锥610与所述第一气体响应腔室650、所述第二光锥710与所述第二气体响应腔室750均通过窗口玻璃100分隔； 气体平衡腔室800，位于所述第一气体响应腔室650和所述第二气体响应腔室750之间，通过第一泄流通道640与所述第一气体响应腔室650连通，通过第二泄流通道740与所述第二气体响应腔室750连通；所述第一气体响应腔室650、第一泄流通道640、第二气体响应腔室750、第二泄流通道740和所述气体平衡腔室800组成气体密封空间并填充有气体； 处理电路900，分别与所述第一形变电容测量系统和所述第二形变电容测量系统电连接，用于测量所述测量通道600和所述参考通道700的电容。

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