北京大学杨学林获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利多物理环境中III族氮化物异质结构电子漂移速率的测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120085138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510303774.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权多物理环境中III族氮化物异质结构电子漂移速率的测量方法是由杨学林;刘烜;王越;宋英铭;沈波设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本多物理环境中III族氮化物异质结构电子漂移速率的测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多物理环境中III族氮化物异质结构电子漂移速率的测量方法，属于半导体技术领域。该方法首先使III族氮化物异质结构形成H形沟道，并在沟道两侧对称地制备矩形测试电极，获得待测样品；然后将待测样品置于某种或多种物理环境中，并接入测试电路中，在测试电极上施加电压，测量通过H形沟道的电流，得到电子漂移速率v，并获得电子漂移速率v在温度场、光场、磁场、不同气体氛围等外部物理环境中随电场E的变化关系。在不同物理场下实现III氮化物异质结构中2DEG电子漂移速率的测量，对于全面评估和优化III氮化物器件的性能具有重要意义，为器件的设计和优化提供指导。
本发明授权多物理环境中III族氮化物异质结构电子漂移速率的测量方法在权利要求书中公布了：1.一种多物理环境中III族氮化物异质结构电子漂移速率的测量方法，包括以下步骤： 1使III族氮化物异质结构形成H形沟道，并在沟道两侧对称地制备矩形测试电极，获得待测样品，则通过H形沟道的电流I根据式1得到： I＝nqWv1 其中，v为电子漂移速率，W为沟道宽度，n为异质结构2DEG的面密度，q为基本电荷量； 沟道中的电场强度E根据式2估算： 其中，W和L分别为沟道区域的宽度和长度，T为测试电极在垂直于沟道方向上的长度， L′为注入区沿电流方向的长度，V为两个测试电极之间的电压差； 2将步骤1制备的待测样品置于某种或多种物理环境中，并接入测试电路中，在测试电极上施加电压，测量通过H形沟道的电流，根据式1得到电子漂移速率v，结合式2获得电子漂移速率v随电场E的变化关系。
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