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龙图腾网获悉上海东原微信息科技有限公司申请的专利芯片设计中的功耗优化方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120124542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510188547.7，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权芯片设计中的功耗优化方法、装置、电子设备及存储介质是由李嘉俊;高振华设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片设计中的功耗优化方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片设计中的功耗优化方法、装置、电子设备及存储介质，其先从芯片设计图中筛选出标准优化流程无法优化的路径，当这些路径中既存在高功耗标准单元又存在慢速标准单元时，将最靠近路径起点的慢速标准单元替换为新标准单元，使该路径获取时间余量，最后，标准功耗优化流程根据该时间余量对相应的高功耗标准单元进行替换，大大提高了由高功耗标准单元和慢速标准单元混合组成的时序路径的功耗优化效果，进一步降低了芯片设计图的功耗。

本发明授权芯片设计中的功耗优化方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片设计中的功耗优化方法，其特征在于，包括： S101、确定芯片设计图中有时间余量的时序路径，从中筛选出时间余量小于阈值的时序路径，形成路径集合； S102、判断所述路径集合中每一条时序路径中是否存在至少一个高功耗标准单元，若是，则执行下一步，反之，则忽略该路径，其中，所述高功耗标准单元为阈值电压等于工艺标准单元库的最低阈值电压且驱动强度大于D10的标准单元； S103、进一步判断存在至少一个高功耗标准单元的时序路径中是否存在慢速标准单元，若是，则将该路径中最靠近路径起始点的慢速标准单元作为待替换单元，并确定所述待替换单元在芯片设计图中的位置以及用于替换该待替换单元的新标准单元的阈值电压和驱动强度； 其中，所述慢速标准单元为阈值电压等于工艺标准单元库的最高阈值电压、驱动强度等于工艺标准单元库的最低驱动强度以及延时大于标准延迟的2倍的标准单元，所述新标准单元的阈值电压和驱动强度的确定方式包括： 将工艺标准单元库提供的阈值电压等级中电压低于所述待替换单元的阈值电压的下一级阈值电压作为所述新标准单元的阈值电压，所述新标准单元的驱动强度与待替换单元的驱动强度相同，或者，所述新标准单元的阈值电压与待替换单元的阈值电压相同，将工艺标准单元库提供的驱动强度等级中强度高于所述待替换单元的驱动强度的下一级驱动强度作为所述新标准单元的驱动强度，或者，将工艺标准单元库提供的阈值电压等级中电压低于所述待替换单元的阈值电压的下一级阈值电压作为所述新标准单元的阈值电压，同时，将工艺标准单元库提供的驱动强度等级中强度高于所述待替换单元的驱动强度的下一级驱动强度作为所述新标准单元的驱动强度； S104、根据所述待替换单元在芯片设计图中的位置以及用于替换该待替换单元的新标准单元的阈值电压和驱动强度，将所述芯片设计图中的所有待替换单元替换为对应的新标准单元； S105、更新所述芯片设计图中的每一条时序路径的时序； S106、采用标准功耗优化流程对所述芯片设计图的功耗进行优化。

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