北京航空航天大学严亮获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利基于三次谐波注入永磁底弧的磁极阵列及电磁驱动获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120127866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510230030.X，技术领域涉及：H02K1/278；该发明授权基于三次谐波注入永磁底弧的磁极阵列及电磁驱动是由严亮;肖春华;向芃桔;何兴华;刘晓帅;李海恩;王汉设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于三次谐波注入永磁底弧的磁极阵列及电磁驱动在说明书摘要公布了：本发明公开了基于三次谐波注入永磁底弧的磁极阵列，其包括多个径向平行磁化的永磁体；永磁体远离转子轭的一面为外弧面，永磁体靠近转子轭的一面为内弧面，内弧面包括一个同心弧面以及两个对称地设置于同心弧面的两侧的正弦弧面，同心弧面和正弦弧面平滑过渡衔接；同心弧面和外弧面均为圆弧面，且同心弧面的圆心、外弧面的圆心均与转子轭的圆心重合；永磁体在正弦弧面与外弧面之间的厚度Hθ随正弦弧面朝同心弧面方向逐渐靠近的角度θ增大而增大；其中，Hθ＝sinθ+C，θ≥0度，C为永磁体基础厚度；本发明还公开了应用该磁极阵列的电磁驱动。采用本发明，能够显著的降低多槽少极高速电机的转矩脉动，且基本不影响转矩输出。
本发明授权基于三次谐波注入永磁底弧的磁极阵列及电磁驱动在权利要求书中公布了：1.基于三次谐波注入永磁底弧的磁极阵列，其特征在于：包括多个径向平行磁化的永磁体；相邻的两个所述永磁体的充磁方向相反；所述永磁体远离转子轭的一面为外弧面，所述永磁体靠近转子轭的一面为内弧面，所述内弧面包括一个同心弧面以及两个对称地设置于所述同心弧面的两侧的正弦弧面，所述同心弧面和所述正弦弧面平滑过渡衔接；所述同心弧面和所述外弧面均为圆弧面，且所述同心弧面的圆心、所述外弧面的圆心均与转子轭的圆心重合；所述永磁体在所述正弦弧面与所述外弧面之间的厚度Hθ随所述正弦弧面朝所述同心弧面方向逐渐靠近的角度θ增大而增大；其中，Hθ＝sinθ+C，θ大于或等于0度，C为永磁体基础厚度。
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