北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)冯源获国家专利权
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龙图腾网获悉北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)申请的专利一种一维阵列多通道周期永磁聚焦系统及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120149131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510319604.0，技术领域涉及：H01J23/087；该发明授权一种一维阵列多通道周期永磁聚焦系统及其设计方法是由冯源;张琳;潘攀;冯进军设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种一维阵列多通道周期永磁聚焦系统及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种一维阵列多通道周期永磁聚焦系统及其设计方法，该一维阵列多通道周期永磁聚焦系统包括沿第一方向间隔设置的极靴和磁组；所述极靴和磁组沿第一方向周期性交替排列形成多个周期性永磁结构；所述磁组包括两个沿第二方向间隔排列的第一磁钢；所述第一磁钢和极靴均沿第三方向延伸设置；所述极靴上形成有沿第三方向间隔排列的若干通孔，所述通孔用以装配慢波结构；若干通孔构成通孔单元；两个第一磁钢分别位于通孔单元的沿第二方向的两侧；所述磁组还包括设置于两个第一磁钢之间的两个第二磁钢；两个第二磁钢分别位于通孔单元的沿第三方向的两侧。实现在一套磁聚集系统中将多个放大通道集成且不会影响磁聚焦系统对电子注的聚焦性能。
本发明授权一种一维阵列多通道周期永磁聚焦系统及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种一维阵列多通道周期永磁聚焦系统，其特征在于，包括： 沿第一方向间隔设置的极靴和磁组；所述极靴和磁组沿第一方向周期性交替排列形成多个周期性永磁结构； 所述磁组包括两个沿第二方向间隔排列的第一磁钢；所述第一磁钢和极靴均沿第三方向延伸设置；所述极靴上形成有沿第三方向间隔排列的若干通孔，所述通孔用以装配慢波结构；若干通孔构成通孔单元；两个第一磁钢分别位于通孔单元的沿第二方向的两侧； 所述磁组还包括设置于两个第一磁钢之间的两个第二磁钢；两个第二磁钢分别位于通孔单元的沿第三方向的两侧。
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