张江国家实验室李桢获国家专利权
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龙图腾网获悉张江国家实验室申请的专利半导体装置和装置制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120237102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510387331.3，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权半导体装置和装置制备方法是由李桢;韩源源;姜钰;范艾杰;易海兰;杨建国设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和装置制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体装置和装置制备方法。其中，所述半导体装置包括：第一芯片，所述第一芯片中形成有第一导热件；第二芯片，所述第二芯片中形成有与所述第一导热件热连通的第二导热件，其中，所述第一芯片接合在所述第二芯片的第一侧上，所述第二芯片的面积大于所述第一芯片的面积，以形成露出部，所述第二导热件部分地位于所述露出部，以部分地暴露于环境中。
本发明授权半导体装置和装置制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括： 第一芯片，所述第一芯片中形成有第一导热件； 第二芯片，所述第二芯片中形成有与所述第一导热件热连通的第二导热件； 键合层，所述键合层位于所述第一芯片和所述第二芯片之间且被配置为接合所述第一芯片和所述第二芯片， 其中，所述第一导热件与所述第二导热件经由所述键合层中的键合焊盘热连通，所述第一芯片接合在所述第二芯片的第一侧上，所述第二芯片的面积大于所述第一芯片的面积，以形成露出部，所述第二导热件部分地位于所述露出部，以部分地暴露于环境中。
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