买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉山东力冠微电子装备有限公司申请的专利制备大尺寸多晶金刚石薄膜的MPCVD设备及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120272875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510583123.0，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权制备大尺寸多晶金刚石薄膜的MPCVD设备及制备方法是由宋德鹏;张正伟;姜良斌设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本制备大尺寸多晶金刚石薄膜的MPCVD设备及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域，具体涉及制备大尺寸多晶金刚石薄膜的MPCVD设备及制备方法，反应室内设有石英环，石英环的顶部设水冷式铜基板台，水冷式铜基板台的顶部设钼环，钼环中央设水冷式铜基样品台，水冷式铜基样品台的底部连接升降管，水冷式铜基样品台顶部设有钼托，钼托的顶部设样品环；反应室的测温观察窗外设两个红外测温传感器，分别对准样品环的边缘和中心区域；水冷式铜基样品台内部交错设有铜基样品台冷却水路和热阻丝，热阻丝与电加热控制装置电气连接，电加热控制装置与双红外测温装置电气连接。本发明能够提高大尺寸多晶金刚石薄膜沉积过程中内外区域温度的均匀性。

本发明授权制备大尺寸多晶金刚石薄膜的MPCVD设备及制备方法在权利要求书中公布了：1.制备大尺寸多晶金刚石薄膜的MPCVD设备，包括反应室1，其特征在于， 反应室1内设有石英环2，石英环2的顶部中心设有水冷式铜基板台3，水冷式铜基板台3的顶部中心设有钼环4，钼环4中央设有水冷式铜基样品台5，钼环4的内径大于水冷式铜基样品台5的外径，水冷式铜基样品台5的底部中心连接有升降管6，升降管6能够升降，升降管6向下穿过水冷式铜基板台3和石英环2进而穿出反应室1，水冷式铜基样品台5的顶部同轴设有钼托7，钼托7的顶部同轴设有样品环8； 反应室1设有测温观察窗19，测温观察窗19外设有两个红外测温传感器9，两个红外测温传感器9分别对准样品环8的边缘和中心区域； 水冷式铜基样品台5内部交错设有铜基样品台冷却水路11和热阻丝12，铜基样品台冷却水路11的管路和热阻丝12的导线从升降管6内部伸出反应室1，铜基样品台冷却水路11的管路伸出反应室1后与冷水机13连通，热阻丝12的导线伸出反应室1后与电加热控制装置14电气连接，电加热控制装置14与双红外测温装置15电气连接，双红外测温装置15与两个红外测温传感器9电气连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东力冠微电子装备有限公司，其通讯地址为：250000 山东省济南市槐荫区太平河北路宽禁带半导体产业园E座；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。