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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种柔性中空电刺激电极阵列装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120285437B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510776470.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种柔性中空电刺激电极阵列装置及其制备方法是由汤小勇;李志宏;张致同;马东旭;庞于兴;葛子钢设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种柔性中空电刺激电极阵列装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种柔性中空电刺激电极阵列装置及其制备方法，属于医疗器械技术领域，具体而言，包括柔性衬底和微针阵列；微针阵列包括多根微针，多根微针中至少部分高度不同；微针的引线端用于与检测设备和电脉冲发生设备电连接。在需要借助电穿孔使大分子药物进入细胞内液时，将柔性中空电刺激电极阵列装置植入人体组织内，不同高度的微针刺入组织内的不同深度，微针的引线端先连接检测设备，通过检测设备检测目标脑区的神经电生理信号，判断疾病的位置和类型，再连接电脉冲发生设备为微针提供脉冲电流，使得大分子药物能够通过电穿孔打开细胞膜的纳米通孔进入到细胞内液中，以对病灶位置进行治疗，治疗一段时间后再连接检测设备，判断治疗效果。

本发明授权一种柔性中空电刺激电极阵列装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性中空电刺激电极阵列装置制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 加工衬底基体表层，在柔性的衬底基体上加工多个通孔，并在衬底基体的表面加工多个导电引线，多个所述导电引线分别与多个所述通孔对应； 微针阵列增材制造，通过3D打印技术在所述衬底基体表层的上表面的对准所述通孔自下而上构建若干不同高度的微针电极基体； 微针阵列镀膜，将第一掩膜板覆盖在所述衬底基体表层的上表面，第一掩膜板未遮挡的部分为微针电极基体所在区域，采用真空镀膜工艺在所述第一掩膜板未遮挡部分淀积导电薄层，完成后撤去第一掩膜板； 淀积绝缘层，采用真空气相淀积工艺或提拉涂膜工艺，将整体覆盖绝缘层； 反应离子刻蚀，将第二掩膜板嵌套在衬底基体表层的上表面，第二掩膜板仅暴露微针电极基体的尖端局部，遮蔽其他所有表面，并在第二掩膜板与微针电极基体之间填充液态聚乙二醇，填充完后固化聚乙二醇，采用反应离子刻蚀工艺，将暴露的微针电极基体的尖端局部的绝缘层去除，完成刻蚀后撤去第二掩膜板，同时将聚乙二醇液化去除聚乙二醇； 第二掩膜板为套筒，套筒套设在微针电极基体的外侧，套筒的高度低于微针电极基体的高度，微针电极基体的高度高出套筒50-100μm，在套筒内填充液态聚乙二醇后，再将液态聚乙二醇固化，使得只有微针电极基体的尖端暴露，以对微针的尖端进行刻蚀。

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