惠科股份有限公司蒲洋获国家专利权
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龙图腾网获悉惠科股份有限公司申请的专利半导体基板及其制备方法和发光基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510783797.5，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权半导体基板及其制备方法和发光基板的制备方法是由蒲洋;黎杰威设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板及其制备方法和发光基板的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体基板及其制备方法和发光基板的制备方法。该半导体基板包括：衬底；多个发光元件，呈阵列设置于衬底上；发光元件包括外延层、第一电极和第二电极，外延层设置于衬底的一侧，第一电极和第二电极设置于外延层远离衬底的一侧。其中，衬底的一侧表面形成有多个阵列分布的凸台，多个发光元件一一对应地设置于凸台上；相邻凸台之间设有隔离槽，在衬底的厚度方向上，隔离槽的深度大于外延层的厚度，以使相邻凸台上的外延层在隔离槽处断开。该半导体基板可避免ICP蚀刻工艺损伤发光元件侧壁，提高了发光元件的出光效率。
本发明授权半导体基板及其制备方法和发光基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板，包括： 衬底； 多个发光元件，呈阵列设置于所述衬底上；所述发光元件包括外延层、第一电极和第二电极，所述外延层设置于所述衬底的一侧，所述第一电极和所述第二电极设置于所述外延层远离所述衬底的一侧； 其特征在于，所述衬底的一侧表面形成有多个阵列分布的凸台，多个所述发光元件一一对应地设置于所述凸台上； 相邻凸台之间设有隔离槽，在所述衬底的厚度方向上，所述隔离槽的深度大于所述外延层的厚度，以使相邻所述凸台上的外延层在所述隔离槽处断开； 其中，所述衬底包括多个呈阵列分布的重复单元，每个所述重复单元包括至少两个台面高度不同所述凸台，且至少两个所述凸台呈阵列分布；两个相邻的所述凸台之间的台面高度差大于所述外延层的厚度；所述凸台的侧壁与相邻所述凸台的台面之间夹角小于或等于90°。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人惠科股份有限公司，其通讯地址为：518101 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区工业二路1号惠科工业园厂房1栋一层至三层、五至七层, 6栋七层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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