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中国科学院宁波材料技术与工程研究所王丽获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种冲蚀防护涂层及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120311140B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510812355.9,技术领域涉及:C23C14/06;该发明授权一种冲蚀防护涂层及其制备方法是由王丽;汪爱英;王振玉;陈仁德;郭鹏;马冠水设计研发完成,并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

一种冲蚀防护涂层及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种冲蚀防护涂层及其制备方法,涉及表面处理技术领域。本发明冲蚀防护涂层包括从下到上依次设置在基底上的Ti层、TiN层、第一TiAlSiN层和第二TiAlSiN层,且所述第一TiAlSiN层为非晶包裹纳米晶结构,所述第二TiAlSiN层为纳米晶结构。与现有技术相比,本发明通过非晶相包裹纳米晶的拓扑约束效应,获得高硬度与强韧性协同增强效应;基于梯度结构设计降低层间界面化学势差,显著抑制电化学腐蚀通道形成;在600℃含Cl‑水氧耦合环境中老化后,展现出卓越的抗冲蚀疲劳损伤能力与长效服役稳定性。

本发明授权一种冲蚀防护涂层及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种冲蚀防护涂层,其特征在于,所述冲蚀防护涂层包括从下到上依次设置在基底上的Ti层、TiN层、第一TiAlSiN层和第二TiAlSiN层,且所述第一TiAlSiN层为非晶包裹纳米晶结构,所述第二TiAlSiN层为纳米晶结构;所述冲蚀防护涂层的制备方法具体包括如下步骤: S1、将基体进行预处理后置于真空腔室中进行氩离子刻蚀处理; S2、采用Ti元素单质靶及氩气,通过阴极电弧方法在经过步骤S1的氩离子刻蚀处理后的基体上沉积Ti层; S3、采用Ti元素单质靶及氮气,通过阴极电弧方法在步骤S2的Ti层上沉积TiN层; S4、以TiAlSi靶作为磁控溅射靶,通入氩气和氮气,采用高功率脉冲磁控溅射同步脉冲偏压方法在步骤S3的TiN层上沉积第一TiAlSiN层; S5、以TiAlSi靶作为磁控溅射靶,通入氩气和氮气,采用高功率脉冲磁控溅射方法在步骤S4的第一TiAlSiN层上沉积第二TiAlSiN层; 所述步骤S4的具体操作如下:基体预热至200-450℃,氩气的通入流量为50-200sccm,氮气的通入流量为200-500sccm,基体偏压为-50至-350V,脉冲频率为100-1000Hz,脉宽为20-200μs,阴极磁控靶功率为1000-3000W,放电电压为100-800V,峰值电流为1-8A,同时采用HiPIMS电源的同步偏压模式,沉积时间为60min; 所述步骤S5的具体操作如下:基体预热至200-450℃,氩气的通入流量为50-200sccm,氮气的通入流量为200-500sccm,基体偏压为-50至-350V,脉冲频率为100-1000Hz,脉宽为20-200μs,阴极磁控靶功率为1000-3000W,放电电压为100-800V,峰值电流为1-8A,同时采用HiPIMS电源的同步偏压模式,沉积时间为120min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院宁波材料技术与工程研究所,其通讯地址为:315000 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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