广东工业大学冯思路获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种基于AAO与ZIF-8复合结构的高灵敏光学生物芯片及其制备与检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120361964B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510514557.5，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权一种基于AAO与ZIF-8复合结构的高灵敏光学生物芯片及其制备与检测方法是由冯思路;罗青龙;陈涛设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于AAO与ZIF-8复合结构的高灵敏光学生物芯片及其制备与检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于AAO与ZIF‑8复合结构的高灵敏光学生物芯片及其制备与检测方法，涉及光学生物芯片检测技术领域。本发明将ZIF‑8涂覆于纳米孔氧化铝表面，在纳米孔氧化铝表面得到ZIF‑8层，然后进行羧基或胺基修饰，得到功能化ZIF‑8层，之后使用交联剂将特异性抗体固定在功能化ZIF‑8层表面，得到所述光学生物传感器。该传感器以AAO纳米孔阵列做为结构基底，集成高活性MOF功能层，通过精准的“孔道限域效应”与“分子识别技术”实现超灵敏检测，本发明制备的光学生物传感器具备成本低、稳定性高、检测时间短、检测灵敏度和特异性高等优点。
本发明授权一种基于AAO与ZIF-8复合结构的高灵敏光学生物芯片及其制备与检测方法在权利要求书中公布了：1.一种光学生物芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在纳米孔氧化铝表面涂覆ZIF-8，使纳米孔氧化铝表面上形成ZIF-8层； 2对所述ZIF-8层表面进行羧基或胺基修饰，得到功能化ZIF-8层； 3使用交联剂将特异性抗体固定在所述功能化ZIF-8层表面，得到所述光学生物芯片； 所述纳米孔氧化铝具有规则孔阵列结构； 所述纳米孔氧化铝的制备方法包括如下步骤： 首先，在铝基材表面设计规则孔阵列图案，接着通过化学刻蚀，得到具有规则孔阵列的铝基材模板，最后对其进行阳极氧化，得到所述纳米孔氧化铝； 所述阳极氧化采用的溶液为草酸溶液；阳极氧化电压为40-60V，温度为5-10℃； 步骤2中利用羧基修饰剂进行羧基修饰；所述羧基修饰剂为对苯二甲酸、柠檬酸或草酸； 步骤2中利用胺基修饰剂进行胺基修饰；所述胺基修饰剂为乙二胺或1,6-己二胺； 所述特异性抗体为Cd-DTPA特异性抗体。
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