欣强电子(清远)股份有限公司徐志强获国家专利权
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龙图腾网获悉欣强电子(清远)股份有限公司申请的专利一种SLP类载板aMSAP工艺用化学镀铜纳米改性剂及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120366754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510773669.2，技术领域涉及：C23C18/38；该发明授权一种SLP类载板aMSAP工艺用化学镀铜纳米改性剂及其制备方法是由徐志强设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SLP类载板aMSAP工艺用化学镀铜纳米改性剂及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SLP类载板aMSAP工艺用化学镀铜纳米改性剂及其制备方法，属于新材料技术领域。针对现有化学镀铜技术中铜层均匀性差、附着力弱、抗氧化性能不足及耐久性不佳的问题，本发明通过设计包含模板剂、硅烷前驱体、表面修饰剂及WO3@ITO核壳结构的纳米改性剂，采用模板剂辅助溶胶‑凝胶法、热包覆及界面自组装工艺制备而成。该改性剂显著提升铜层性能，厚度标准偏差≤0.14μm，附着率≥98.0％，氧化铜含量≤2.3mol％，耐久性测试后性能衰减极小。制备工艺简单，添加量低，与aMSAP工艺高度兼容，成本低且环境友好，满足SLP类载板高密度互连和高可靠性制造需求，具有显著的工业应用价值。
本发明授权一种SLP类载板aMSAP工艺用化学镀铜纳米改性剂及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SLP类载板aMSAP工艺用化学镀铜纳米改性剂的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1介孔硅载体功能化处理：将模板剂、硅烷前驱体与表面修饰剂按1：0.5-2：0.1-0.5的质量比混合，碱性条件下进行水解缩合反应，反应后得到介孔二氧化硅纳米颗粒；2金属氧化物核壳结构构建：将钨酸盐前驱体、硫酸铵及水按3-5：1：15-20的质量比配制成水溶液，调节pH至1.5-2.5进行水热反应，生成WO3纳米棒，随后与铟锡前驱体按10-20：1的质量比进行热包覆，形成WO3@ITO核壳结构；3复合改性剂组装：将步骤1得到的介孔二氧化硅纳米颗粒与步骤2得到的WO3@ITO核壳结构按照1-3：1的质量比混合，加入含氮有机物分散剂与硼酸系缓冲液，在超声场作用下进行界面自组装，获得化学镀铜纳米改性剂。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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