苏州实验室权佩雯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州实验室申请的专利一种阻变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510940922.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种阻变存储器及其制备方法是由权佩雯;朱萍;顾泓;杨晓琴;朱鹏;徐呈甲设计研发完成，并于2025-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阻变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括：衬底层；第一电极层，位于所述衬底层的一侧；阻变层，位于所述第一电极层远离所述衬底层的一侧；第二电极层，位于所述阻变层远离所述第一电极层的一侧；其中，所述第一电极层和所述阻变层的晶格失配度f1满足0%≤f1＜7%，所述第二电极层和所述阻变层的晶格失配度f2满足0%≤f2＜7%。本发明通过采用与阻变层晶格失配度低的第一电极和第二电极，可缓解晶格失配应力，减少界面应力积累，有利于提高阻变存储器的稳定性和可靠性。
本发明授权一种阻变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变存储器，其特征在于，包括： 衬底层； 第一电极层，位于所述衬底层的一侧； 阻变层，位于所述第一电极层远离所述衬底层的一侧； 第二电极层，位于所述阻变层远离所述第一电极层的一侧； 其中，所述第一电极层和所述阻变层的晶格失配度f1满足0%≤f1＜7%，所述第二电极层和所述阻变层的晶格失配度f2满足0%≤f2＜7%； 所述阻变层的材料包括氮化铝； 所述第一电极层的材料包括钨铼合金； 所述第二电极层的材料包括钨铼合金； 所述钨铼合金中的铼含量W1满足3%≤W1≤12%。
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