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龙图腾网获悉武汉衡惯科技发展有限公司申请的专利一种晶圆级封装MEMS惯性器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120483036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510990713.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种晶圆级封装MEMS惯性器件的制作方法是由黄晟;汪超;方明;蒋文杰设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆级封装MEMS惯性器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶圆级封装MEMS惯性器件的制作方法，包括S1，制作上表面具有若干凹槽的衬底层晶圆，并在衬底层晶圆的上表面键合器件层晶圆；S2，对器件层晶圆进行减薄和图案化处理，得到可动敏感结构，可动敏感结构包括加速度计结构和陀螺仪结构；S3，向可动敏感结构填充牺牲材料，在牺牲材料上生长介质薄膜层；S4，释放牺牲材料以于介质薄膜层与衬底层晶圆之间形成加速度计结构空腔和陀螺仪结构空腔；S5，将加速度计结构空腔制作为氮气腔室以及将陀螺仪结构空腔制作为真空腔室。本发明节省一片盖帽晶圆的加工，减少工艺步骤，降低成本，而且能够将不同气氛环境的器件集成在同一片上制作，提升芯片集成度，降低最终器件体积。

本发明授权一种晶圆级封装MEMS惯性器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级封装MEMS惯性器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，制作上表面具有若干凹槽的衬底层晶圆，并在所述衬底层晶圆的上表面键合器件层晶圆； S2，对所述器件层晶圆进行减薄和图案化处理，得到可动敏感结构，所述可动敏感结构包括加速度计结构和陀螺仪结构； S3，向所述可动敏感结构填充牺牲材料，在所述牺牲材料上生长介质薄膜层； S4，在所述加速度计结构上方的所述介质薄膜层上开设第一释放孔，通过所述第一释放孔释放所述牺牲材料，并封堵所述第一释放孔，在所述陀螺仪结构上方的所述介质薄膜层上开设第二释放孔，通过所述第二释放孔释放所述牺牲材料，并封堵所述第二释放孔，在所述牺牲材料释放后，所述介质薄膜层与所述衬底层晶圆之间形成加速度计结构空腔和陀螺仪结构空腔； S5，将所述加速度计结构空腔制作为氮气腔室以及将所述陀螺仪结构空腔制作为真空腔室。

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