嘉兴阿特斯技术研究院有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司贾宇龙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司申请的专利太阳能电池及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120512927B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510991724.5，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权太阳能电池及光伏组件是由贾宇龙;许涛;邓伟伟;王玉林;王华设计研发完成，并于2025-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：具有沿第一方向上相对的正面和背面的基底，背面上具有沿第二方向交替排布的第一区域和第二区域；位于第一区域上的第一介质层中包括多个孔隙，至少部分数量的孔隙沿第一方向上贯穿第一介质层；第一掺杂层位于第一介质层远离基底的一侧，第一掺杂层和基底中具有相同导电类型的掺杂元素；第二介质层至少位于第二区域上；第二掺杂层位于第二介质层远离基底的一侧，第二掺杂层和第一掺杂层导电类型相反，至少有利于提升太阳能电池的电学性能以及降低其热失控的风险。
本发明授权太阳能电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 基底，所述基底具有沿第一方向上相对的正面和背面，所述背面上具有沿第二方向交替排布的第一区域和第二区域； 第一介质层，位于所述第一区域上，所述第一介质层中包括多个孔隙，至少部分数量的所述孔隙沿所述第一方向上贯穿所述第一介质层，所述孔隙在所述第一介质层中的排布密度为1×10个cm~1×10个cm 第一掺杂层，位于所述第一介质层远离所述基底的一侧，所述第一掺杂层和所述基底中具有相同导电类型的掺杂元素； 第二介质层，至少位于所述第二区域上； 第二掺杂层，位于所述第二介质层远离所述基底的一侧，所述第二掺杂层和所述第一掺杂层导电类型相反。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人嘉兴阿特斯技术研究院有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司，其通讯地址为：314001 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励